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传三星HBM3E未通过英伟达验证，原因或与台积电有关
存储芯片大厂美光、SK海力士和三星分别于2023年7月底、8月中旬、10月初向英伟达（NVIDIA）送去了八层垂直堆叠的24GB HBM3E样品以供验证，随后在2024年初，美光和SK海力士的HBM3E都通过英伟达的验证，并获得了订单，三星HBM3E却并未通过验证。
三星、SK海力士将止供应，DDR3价格大涨20%
5月13日消息，据《经济日报》报道，全球前两大DRAM供应商韩国三星电子和SK海力士正全力发展高带宽內存（HBM）与主流DDR5规格內存，今年下半年起将停止供应DDR3 DRAM，引发市场抢货潮，导致近期DDR3价格大涨，最高涨幅达20%，且下半年报价可能还会继续上涨。
华为Pura 70 Ultra手机DRAM及NAND揭秘
5月11日消息，TechInsights 最近对华为的 Pura 70 Ultra 和 Pro Plus 系列智能手机进行了拆解和技术分析，虽然Pura 70 Ultra中的DRAM 和 NAND 闪存的封装上虽然没有提供表明制造商的外部标记，但是经过分析发现，其NAND 闪存是由中国厂商制造的，但 DRAM 则来自韩国的三星电子。
中芯国际Q1营收首度超越联电及格芯，成全球第三大晶圆代工厂！
5月9日晚间，中国大陆晶圆代工龙头大厂中芯国际公布了2024年一季度财报。虽然净利润因为应占联营企业与合营企业利润由盈转亏，导致同比大跌68.9%，但是营收和毛利率均优于官方的业绩指引，并且中芯国际一季度的营收首次超过了联电和格芯，有望成为仅次于台积电和三星的全球第三大晶圆代工厂商。
台积电、英特尔、三星纷纷发力背面供电技术
随着摩尔定律的演进，芯片内部的晶体管尺寸越来越小，密度也越来越高，堆叠层数也越来越多，可能需要穿过10~20层堆叠才能为下方的晶体管提供电源和数据信号，这导致互连线和电源线共存的线路层变成了一个越来越混乱的网络。同时，电子在向下传输的过程中，会出现IR压降现象，导致芯片晶体管接收电压降低，从而导致性能降低。
2025年HBM价格将上涨约5%~10%，在整个DRAM市场的产值占比将超30%
5月6日消息，根据市场研究机构TrendForce的最新报告显示，受益于HBM（高带宽内存）销售单价较传统型DRAM高出数倍，即使相比DDR5价格差距也达到了约五倍，加上AI芯片相关产品的持续升级，也使得对于HBM容量需求增加，这将促使2023~ 2025年HBM的产能级产值在整个DRAM市场当中的比重将持续提升。
三星携手新思科技完成3nm GAA制程高性能移动SoC流片
近日，三星电子和新思科技（Synopsys）共同宣布，三星电子采用新思科技的 Synopsys DSO.ai EDA 套件，成功完成了基于其3nm GAA晶体管的“高性能移动SoC”生产流片。
韩媒：英伟达疑煽动三星、SK海力士竞争，以压低HBM价格
据韩国媒体BusinessKorea近日报道，在人工智能芯片对于高带宽内存HBM需求的推动下，自2023年以来，第三代的HBM3的报价已经上涨超过5倍。这对于英伟达等AI芯片大厂来说，所需的关键HBM价格大涨，势必会影响其AI芯片的成本。
三星一季度营业利润暴涨931.87%！半导体业务扭亏为盈！
4月30日，韩国三星电子正式公布了2024年第一季度财报，受惠于旗舰智能手机Galaxy S24的强劲销售以及存储芯片价格的上涨，三星电子2024年第一季营业利润达到了6.606万亿韩元，同比暴涨931.87%！
传三星已与AMD签订30亿美元HBM3E供货协议！
4月24日消息，据韩国媒体报道，三星已经成功与处理器大厂AMD签订了价值30亿美元的新供应协议。三星将向AMD供应HBM3E 12H DRAM，预计会用在AMD Instinct MI350系列AI芯片上。在此协议中，三星还同意购买AMD的GPU以换取HBM产品的交易，但是具体的产品和数量暂时还不清楚。
