晶圆代工市场增长放缓，传三星美国晶圆厂推迟至2026年量产
4月23日消息，据韩国媒体Business Korea报道称，三星电子已将位于美国德克萨斯州泰勒市的晶圆的量产时间从2024年底推迟到了2026年，原因可能是考虑到晶圆代工市场增势放缓而调整了建设速度。
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三星NAND Flash产能利用率已恢复至90%以上？
4月23日消息，据韩国媒体ETNews报导，有市场人士表示存储芯片大厂三星电子近期已将NAND Flash闪存的产能利用率提升至90%，相较第一季的80%进一步提升。
支持双向卫星通信，三星Exynos 5400 5G调制解调器发布
4 月18日，三星电子正式发布了其首款支持双向卫星通信的 5G 调制解调器 Exynos 5400。三星表示，该调制解调器已应用于 Exynos 处理器版本的 Galaxy S24 和 Galaxy S24 + 智能手机当中，据悉也将搭载于谷歌 Pixel 9 系列（Pixel 9、Pixel 9 Pro、Pixel 9 Pro XL 和 Pixel 9 Pro Fold）等即将于今年晚些时候发布的下一代 Pixel 设备中。
传美光将获美国政府60亿美元补贴，最快下周公布
4月18日消息，据彭博社报道，继晶圆代工大厂英特尔、台积电、三星与格芯之后，存储芯片大厂美光（Micron）也将获美国商务部超过60亿美元的“芯片法案”补贴，以助力其美国芯片制造计划。
三星NAND晶圆投片量趋于保守，产能利用率维持在60%以下
4月17日消息，据韩国媒体《朝鲜日报》报道，三星电子今年一季度在韩国平泽和中国西安NAND Flash闪存生产线的晶圆投片量，相较上一季将提升了约30%。不过，三星方面对进一步的增产仍然保持谨慎态度，希望避免影响到NAND Flash的价格涨势。
三星在美投资额提升至400亿美元，将获64亿美元补贴
当地时间4月15日，美国商务部官网发布公告称，已与三星电子签署了一份不具约束力的初步条款备忘录（PMT），将根据《芯片和科学法案》向三星电子提供高达64亿美元的直接补贴资金，以加强美国半导体供应链的弹性，推进美国的技术领导地位，并增强美国的全球竞争力。同时，三星还还表示，计划申请美国财政部的投资税收抵免，预计将涵盖高达25%的合格资本支出。
三星将于本月量产290层NAND，明年还将推出430层NAND
4月12日消息，据韩国媒体据Kedglobal报道，全球最大的存储芯片制造商三星电子公司将于本月晚些时候开始批量生产 290 层第九代垂直 (V9) NAND 芯片，以引领行业向高堆叠高密度闪存过渡的竞争对手。另据业内消息人士于本周四表示，随着人工智能时代对高性能和大型存储设备的需求增长，三星电子还计划明年推出 430 层 NAND 芯片。
三星电子五大工会27000人计划4月17日集体罢工
4月10日消息，据BusinessKorea等韩国媒体报道，三星电子五大工会跟管理层的加薪谈判失败后，已表决通过要在4月17日集体和平罢工，以争取更佳的工作环境。
台积电CoWoS供不应求，三星抢下英伟达2.5D先进封装订单
4月8日消息，据韩国媒体TheElec报导，三星电子已经成功拿下了GPU大厂英伟达（NVIDIA）的2.5D封装订单。
总投资提高至440亿美元，传三星将在美国再建一座晶圆厂和一座先进封装厂
4月6日消息，据《华尔街日报》报道，三星计划将大幅增加其在美国德克萨斯州泰勒市的半导体投资，预计将在计划的投资170亿美元建造一座5nm晶圆厂的基础上，再兴建一座新的先进制程晶圆厂、一座先进封装厂和一个研发中心，使得总体的投资金额达到约 440 亿美元 。
存储芯片市场逆转，三星一季度营业利润将暴涨931.25%！
4月6日消息，据三星电子公布的初步数据显示，在2024年第一季度三星电子营业利润约为6.6万亿韩元（约合353.76亿元人民币），同比暴涨931.3%，结束了自2022年第三季度以来连续六个季度的下滑。
三星、SK海力士下半年DRAM晶圆投片量将恢复到减产前
4月3日消息，据《朝鲜日报》引用市场研究机构Omdia的报告指出，包括三星电子、SK海力士等韩国DRAM大厂，在2024年下半年DRAM內存的晶圆投片量有望回归减产前水准，结束近一年的减产，达到DRAM业务正常化的目标。
