林本坚：竞争对手永远追不上台积电！蒋尚义：Intel以前是“King”，现在被当成“Nobody”！
3月27日，中国台湾清华大学半导体研究学院院长、台积电前研发副总经理的林本坚，鸿海集团半导体策略长、前台积电共同营运长蒋尚义共同出席了施惠《半导体科技一点都不难：有趣实验带你认识生活中的半导体》新书发布会。期间，林本坚和蒋尚义对于台积电追加对美投资、特朗普关税，以及与三星和英特尔的竞争相关话题给出了自己的看法。
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2025年全球生成式AI手机出货量将达4亿部
3月20日消息，据市场研究机构Counterpoint Research最新发布的研报显示，预计2025年具生成式人工智能（GenAI）功能的智能手机出货量将达约4亿部，约占整个智能手机出货量的30%，相比2024年20%显著增长。
李在镕：三星电子正面临生死存亡！
3月17日消息，据韩联社报道，三星集团会长李在镕日前告诉公司高管称，三星电子失去了内生动力，正面临生死存亡的关头，并要求三星高管必须抱着“拼死一搏”的精神来应对危机。
传三星将放弃1.4nm制程
3月17日消息，据外媒PhoneArena近期的报导称，三星晶圆代工在尖端制程的良率近年来持续面临良率问题的挑战，由于第二代3nm GAA制程良率低，也直接导致了Galaxy S25系列旗舰机全面转向了高通骁龙8至尊版（Snapdragon 8 Elite）芯片。虽然近期有传闻称三星2nm制程良率有所提升，但实际测试良率仍仅有30%。此外，传闻三星晶圆代工正考虑放弃其1.4nm制程的计划。
三星、SK海力士，在华收入大涨
3月13日消息，受益于去年存储芯片市场需求回暖以及价格上涨，韩国三星电子和SK海力士这两家存储芯片大厂在去年都获利颇丰。特别是在中国市场，受国内的消费补贴刺激政策的推动，三星电子和SK海力士在中国的销售额也实现了大幅增长。
传三星2nm制程将于5月进入量产，自研Exynos 2600处理器首发
3月13日消息，由于三星未能及时量产自研的Exynos 2500处理器，使得Galaxy S26系列旗舰智能手机目前只有配备高通 Snapdragon 8 Elite处理器的版本。但是据据Fnnews 报道，三星最新的基于其2nm GAA制程的Exynos 2600处理器将会在今年5月进入量产。
台积电对美国追加1000亿美元投资，三星、SK海力士压力山大
据韩国《朝鲜日报》报导，为以顺应美国总统特朗普上任后持续推动“美国制造”的政策，台积电3月4日于宣布在美国投资增加至1650亿美元，新建3座晶圆厂及2座先进封装厂之后，对韩国芯片制造大厂三星电子、SK海力士等半导体企业带来了巨大压力，它们可能也将被迫追加在美国的投资。
2024年四季度全球DRAM产业营收环比增长9.9%
2月27日消息，据市场研究机构TrendForce 最新调查显示，2024年第四季全球DRAM产业营收突破280亿美元，环比增长9.9%。由于服务器DDR5合约价上涨，加上HBM集中出货，全球前三大DRAM厂商营收皆持续环比增长。平均销售单价方面，多数应用合约价皆反转下跌，仅美系CSP增加采购大容量服务器DDR5，成为支撑价格继续上涨的主因。
历史首次！三星将使用长江存储专利技术！
据韩国媒体ZDNet Korea 2月24日报道称，三星电子近期已与中国存储芯片厂商长江存储签署了开发堆叠400多层NAND Flash所需的“混合键合”（Hybrid Bonding）技术的专利许可协议，以便从其第10代（V10）NAND Flash产品（430层）开始使用该专利技术来进行制造。
三星已开始量产Exynos 2500，但良率仍低于50%
2月22日消息，据外媒Thebell报道，三星电子已经开始量产新一代旗舰移动处理器Exynos 2500，晶圆测试最早将于 3 月开始，可能将首发于三星今年下半年发布的入门级折叠屏新机Galaxy Z Flip FE。但由于3nm GAA 良率低的问题依然存在，因此目前无法扩大规模，初期的产能只有每月5000片。
三星将LPDDR5速率提高到12.7Gb/s
2月22日消息，三星电子近日在国际固态电路会议 （ISSCC） 上引入了 LPDDR5 规范的另一项扩展，将数据传输速率提高到 12,700 Mb/s （12.7 Gb/s），成为了全球速度最快的 LPDDR5 DRAM。为了提高速度，三星在其 DRAM 芯片（称为 LPDDR5-Ultra-Pro DRAM）中添加四相自校准和交流耦合收发器均衡等技术。
因涉嫌向中企泄露核心技术，三星电子前高管被判刑7年！
2月19日，韩国首尔中央地方法院第25刑事部（主审法官池贵渊）以违反《防止信息泄漏及保护产业技术相关法律》为由，对因涉嫌向中国企业泄露韩国核心半导体技术的三星电子前高管金某一审判处有期徒刑7年。同时被起诉的原分包商员工方先生和金先生也分别被判处2年6个月有期徒刑和1年6个月有期徒刑。
