SK海力士将集成3D检测单元以提升12层HBM3E的良率和产量
10月31日消息，据BusinessKorea报道，继今年9月SK海力士宣布领先全球量产12层堆叠的HBM3E之后，随着AI 市场对于SK 海力士的 12 层 HBM3E 需求的大幅增长，促使SK海力士计划在HBM中集成 3D 检测单元，以提升产量和良率。
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HBM5 20hi已确定将采Hybrid Bonding技术
10月30日，根据市场研究机构TrendForce最新研究曝光显示，三大HBM（高带宽内存）芯片原厂正在考虑是否于HBM4 16hi采用hybrid bonding（混合键合）技术，不过目前已确定将在更新的HBM5 20hi中使用这项技术。
代号“Ulysses”，传三星正基于其第二代2nm工艺开发Exynos SoC
10月23日消息，据韩国媒体《首尔经济日报》（Sedaily）报道称，由于三星3nm GAA制程良率问题，使得其自研的Exynos 2500处理器难以足够快地批量生产，预计三星即将于明年年初推出的旗舰智能手机Galaxy S25系列可能将不会搭载该芯片。
为对抗台积电，传英特尔与三星将组建代工同盟
10月22日消息，据韩国“每日经济新闻”援引半导体人士爆料称，英特尔首席执行官帕特·基辛格 （Pat Gelsinger） 已建议该公司的一名高管安排与三星电子董事长李在镕 （Lee Jae-Yong） 会面，以试图推动各自晶圆代工部门的“全面合作”。
三星业绩不佳引发员工大量跳槽，SK海力士3职缺收到200封简历
10月22日消息，据韩国媒体TheElec报道，自从三星发布第三季初期财报，显示获利低于预期，并为此进行道歉以来，人们越来越担心这家科技大厂的芯片业务将面临危机。在这种氛围下，越来越多的三星半导体工程师跳槽到竞争对手，或者是政府支持的研究机构，其引发了市场诸多联想，也对三星的营运信心造成冲击。
三星宣布全面退出LED业务
10月21日消息，据央视财经报道，由于集团整体业绩未达预期，韩国三星电子已进行业务结构调整，其半导体部门决定全面退出LED业务。
传三星已推迟其美国泰勒工厂EUV光刻机的交付
10月18日消息，据路透社报道，三星已经推迟了其位于美国德克萨斯州泰勒市在建的晶圆厂的ASML光刻机的交付，虽然不清楚具体的原因，但猜测可能与其尖端逻辑制程良率偏低，难以获得客户订单有关。
三星HBM3E仍未通过英伟达认证，根源在1a制程DRAM？
10月17日消息，据韩国媒体ZDNet Korea报导，虽然三星今年以来积极地想通过英伟达HBM3E认证，期望打入英特尔的供应链，但8层堆叠的HBM3E产品仍未通过认证，12层堆叠的产品很可能将延后至2025年第二季或第三季之后才有机会供应。
面向下一代AI计算，三星发布业界首款24Gb GDDR7 DRAM
10月17日，存储芯片大厂三星电子宣布，已开发出业界首款 24 Gb GDDR71 DRAM。除了业界最高的容量外，该GDDR7 芯片还具有最快的速度，将是下一代应用的最佳解决方案，可广泛应用于需要高性能内存解决方案的各个领域，例如数据中心和 AI 工作站，超越图形 DRAM 在显卡、游戏机和自动驾驶中的传统应用。
2025年全球HBM产能将同比大涨117%！
10月16日，市场调研机构TrendForce在“AI 时代半导体全局展开──2025 科技产业大预测”研讨会上指出，随着全球前三大HBM厂商持续扩大产能，预计2025年全球HBM产能将同比大涨117%。
业绩不及预期，三星电子道歉！
10月8日，三星电子公布了截至9月30日的2024年第三季度未经审计的盈利预测报告（正式报告将于10月31日发布）。由于营业利润低于市场预期，三星电子还罕见地发布声明致歉。
