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三星与SK海力士的存内计算布局

从计算机诞生起,计算机系统就是在冯·诺依曼架构下运行。在冯·诺伊曼架构中,计算与内存是分离的,计算单元从内存中读取数据,计算完成后再存回内存。特别是随着人工智能等对性能要求极高的场景爆发,传统的冯·诺依曼架构的短板开始凸显,例如功耗墙、性能墙、内存墙的问题。
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产能利用率不足50%,三星8吋晶圆厂30%机台已停机!

9月29日消息,据韩国媒体报道,由于8英寸晶圆代工需求疲弱,截至今年第二季度,三星电子晶圆代工事业部(Samsung Foundry)产能利用率只有不到50%。业界人士透露,目前Samsung Foundry三成机台已经停机,但库存进一步降低,有望年底前重启机台,明年再度运转。

美国芯片法案“护栏规则”正式公布:限制接受补贴的厂商扩大在华半导体制造能力

近日,美国商务部(BIS)正式公布了实施《科学与芯片法案》(以下简称“芯片法案”)配套的巨额补贴发放的“国家安全护栏”的最终规则。该规则详细阐述了法规的两个核心条款:第一,禁止“芯片法案”资金接受者在10年内扩大在外国关注的材料半导体制造能力;其次,限制补贴接受者与相关外国实体进行某些联合研究或技术许可工作。

传台积电宝山厂建设计划放缓,2nm量产将延至2026年?

9月18日消息,台积电2nm厂正紧锣密鼓建设中,北中南多地皆有重大投资,分别是新竹宝山厂、台中中科厂及高雄楠梓厂,计划是在2025年量产2nm。但是根据最新供应链消息,宝山厂建设计划开始放缓,恐影响原订量产计划,业内人士推测,放量的时间恐将延后2026年。
二季度NAND Flash营收环比增长7.4%至93.38亿美元

二季度NAND Flash营收环比增长7.4%,三季度或将继续增长3%

9月13日消息,近日市场研究机构TrendForce最新公布的研究报告显示,今年第二季度NAND Flash市场需求仍低迷,供过于求态势延续,使NAND Flash第二季平均销售单价(ASP)继续下跌10%~15%,而NAND Flash位元的出货量则在第一季度较低基数的基础上环比增长19.9%,从而带动第二季度全球NAND Flash产业营收环比增长7.4%至93.38亿美元。
传三星、SK海力士高层紧急赴美,争取“芯片法案”及对华新规豁免权

全球半导体供应链重塑,三星、SK海力士将受冲击

9月12日消息,据韩国媒体BusinessKorea报道,韩国国际经济政策研究所(Korea Institute for International Economic Policy,KIEP)11日公布的“全球半导体供应链重整研究”显示,在全球重塑半导体供应链的浪潮下,三星电子、SK海力士等在中国拥有工厂的厂商,可能是受影响最严重的。