长江存储被制裁一年后，三星、SK海力士宣布3D NAND将迈入300层！
2022年，美光、SK海力士、三星等相继量产了232层3D NAND Flash，但是在美方的制裁之下，长存128层及以上NAND Flash的供应链受到严重阻碍。在此背景之下，这些国际大厂纷纷加速迈向300层，希望能主导未来3D NAND Flash的技术路线。
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三星带头，NAND Flash“涨声”响起！
8月17日，据Digitime报道称，国内的NAND Flash模组厂近日已暂停报价及接单，将配合原厂（三星）报价调高8~10%。此举将有望拉动NAND Flash价格逐步回升到制造成本线。
今年智能手机出货量将创10年来新低，苹果有望超越三星成第一！
8月18日消息，根据市场研究机构Counterpoint于8月17日发布的最新的全球手机出货量预测报告显示，2023年全球智能手机出货量将同比下滑6%至11.5亿部，创十年来最低纪录，主要受中国和美国这两大主力市场销量不振所拖累。
三星第9代V-NAND闪存明年量产：采用双堆栈架构，超过300层
8月18日消息，据DigiTimes报道，三星准备明年开始生产第9代V-NAND技术的产品，将超过300层，继续沿用双堆栈架构。
三星DRAM占率降至41.9%，创9年以来新低！
8月16日消息，据韩国媒体BusinessKorea报道，综合业界消息及韩国金融监督院（Financial Supervisory Service）电子信息系统于15日披露的报告称，今年上半三星DRAM的全球市占率预计为41.9%，较去年同期的43.5%萎缩了1.6个百分点，创9年以来最低的上半年纪录。
投资11年盈利超过16倍！三星减持ASML股份套现约3万亿韩元！
8月16日消息，根据三星电子最新发布的2023年上半年财报显示，在今年二季度，三星减持了其所持有的超过一半的荷兰光刻机大厂ASML 的股份，预计套现了约3万亿韩元（按当前汇率约合人民币163.7亿元）。
三星与SK海力士半导体库存累计突破50万亿韩元！
8月16日消息，据韩国媒体Etnews报导，两大內存商三星和SK海力士最新公布的半年报显示，截至6月底，三星半导体业务DS部门库存金额为33.6896万亿韩元，SK海力士的半导体库存金额为16.4202万亿韩元，与2022年底时的库存金额相比分别增长了15.9%和4.8%。
二季度全球OLED手机销量排名：苹果iPhone占据前四名，三星Galaxy S23 Ultra第五
8月15日消息，根据面板供应链咨询公司 DSCC 公布最新报告显示，2023年第二季全球 OLED 面板出货量为 1.7 亿片，同比下滑2%，环比增长10%。
三星公布芯片背面供电技术：可使芯片面积缩小14.8%，布线长度减少9.2%！
8月12日消息，台积电、三星、英特尔等晶圆制造大厂都在积极布局背面供电网络技术（BSPDN），并将导入尖端的逻辑制程的开发蓝图。据韩国媒体 The Elec 报道，继英特尔公布了其命名为“PowerVia”的背面供电技术将导入Intel 20A制程工艺之后，三星电子在此前日本VLSI研讨会上也公布了其背面供电技术的研究结果，也将用于其2nm制程工艺。
越南大停电！鸿海、三星停工，经济损失或达14亿美元
8月11日消息，据越南媒体VnExpress报道，由于夏季热浪来袭，用电量激增、水流减少导致发电欠佳等因素，越南北部出现缺电危机。
2024年HBM供应量将同比大涨105%，销售收入将同比大涨127%
8月9日消息，据市场研究机构TrendForce最新报告指出，随着AI需求推动英伟达（NVIDIA）及其他云端服务业者（CSP）自研芯片持续追加定单，SK海力士等内存大厂也在增加TSV产线扩增HBM产能。从目前各原厂规划看，2024年HBM供给位元量将同比大涨105%，考察TSV扩产加上机台交期与测试时间合计可能长达9~12个月，TrendForce预估多数HBM产能要等到明年第二季才有望陆续开出。
传Arm将于9月在纳斯达克上市，市值或超600亿美元！苹果、三星、英伟达、英特尔将投资
8月9日消息，据日经新闻报道，日本软硬集团旗下的英国半导体IP大厂Arm计划于今年9月在美国纳斯达克IPO上市，市值预计将超600亿美元，有望成为今年全球最大的IPO。
