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传美国将给予三星、SK海力士等在华晶圆厂“永久豁免”

6月20日消息,据韩国媒体“The Korea Herald”报导,包括三星电子、SK海力士等韩国半导体制造商,皆已取得美国商务部的“经验证终端使用者”(Validated End-User,VEU)资格,获得VEU授权后,无需各个项目都要申请出口许可证,大大简化将美国半导体设备出口至他们在中国大陆的晶圆厂的程序。但据业界人士称,韩国半导体业者希望美国“无限期豁免”出口管制,或至少给予更长的宽限期。
一季度全球企业级SSD营收19.98亿美元,环比大跌47.3%

一季度全球企业级SSD营收19.98亿美元,环比大跌47.3%

6月1日消息,市场研究机构TrendForce最新研究显示,淡季效应与高通货膨胀导致北美 Server ODM 及中国等市场采购动能下滑,供应商企业级SSD 第一季库存不降反升,并没有因为减产而有效改善,因此采取降价以扩大出货量,使得整体企业级SSD面临量价齐跌,第一季营收环比下滑47.3%至19.98亿美元。而 Server ODM 订单经过第一季库存去化,第二季采购需求将小幅上升,各家供应商营收有望回到增长态势。
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传三星正在开发XR芯片

5月29日消息,据《韩国经济日报》报导,消息人士透露,三星电子正在开发混合显示(XR)芯片,试图在快速成长的 XR 市场挑战高通和谷歌。

传三星第三季度起将对华城S3产线减产10%

5月26日消息,据韩国媒体Aju News 报道,三星计划自 2023 年第三季度开始,对韩国华城园区 S3 工厂减少至少 10% 的晶圆投片量。这也是三星此前宣布减产存储芯片计划的一部分。

三星研发4F² DRAM储存单元结构,面积最高可减少30%

5月26日消息,据韩国媒体The Elec报道,存储芯片大厂三星组建了一支专业团队,负责开发 4F² DRAM 储存单元结构。相较现有 6F² DRAM 储存单元结构,在不改变制程下,4F² DRAM 储存单元结构芯片面积最高可减少达 30%。
一季度DRAM市场营收环比下滑21.2%,已连续三个季度下滑

一季度DRAM市场营收环比下滑21.2%,已连续三个季度下滑

5月25日消息,据市场研究机构TrendForce报告,2023年一季度DRAM产业营收约96.6 亿美元,环比下滑21.2%,已续三个季度下跌。出货量方面仅美光有上升,企业存储厂商均衰退;平均销售单价方面,三星、SK海力士、美光这三大原厂均下跌。目前因供过于求尚未改善,价格依旧继续下跌,但是在原厂陆续减产后,DRAM下半年价格跌幅将有望逐季收窄。展望第二季,虽DRAM出货量增加,但因价格跌幅仍较大,预期营收增长幅度有限。