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三星3nm良率低下,导致非存储半导体部门巨亏3.85亿美元

10月2日消息,根据韩国三星证券发布的《地缘政治模式转变与产业》报告显示,三星电子正面临无数挫折,特别是3nm GAA制程,因良率无法缩小与台积电差距,客户被迫放弃与三星合作,这也使得三星非存储半导体业务部门亏损了3.85亿美元。

三星电子海外147000名员工,10%将被裁?

10月2日消息,继此前传出三星将对海外子公司的非生产人员进行大规模裁员的消息之后,据彭博社的最新报道,知情人士透露,三星电子公司已经开始在东南亚、澳大利亚、新西兰、拉丁美洲等地区裁员,可能会影响这些市场约 10% 的员工。
三星宣布量产1Tb QLC第九代V-NAND

三星宣布量产1Tb QLC第九代V-NAND

继今年4月量产业界首个基于TLC的第 9 代 V-NAND之后,三星电子于9月12日正式宣布,其已经开始批量生产首个 1Tb QLC 第 9 代 V-NAND,将进一步巩固其在高容量、高性能 NAND 闪存市场的领导地位。
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传三星2nm良率最多20%,已撤出美国泰勒厂人员

9月12日消息,据韩媒Business Korea报道,由于 2nm 良率持续存在问题,三星电子已决定从其位于美国的泰勒工厂撤出人员,这标志着其先进的代工业务遭受重大挫折。该决定是在大规模生产时间表一再推迟之后做出的,现在量产时间已从原来的2024年底推迟到了2026年。
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传三星获得安霸2nm芯片代工订单

9月12日消息,据韩国媒体The Elec报导,三星已获得美国边缘AI芯片公司安霸(Ambarella)的2nm芯片代工订单,目标是2025年出货,预计2026年底或2027年实现商业化生产。