第六代DRAM尚未量产，三星第七代DRAM测试线已开建
据韩国媒体Business Korea报导，三星电子已于第四季度在平泽P2厂建立新一代10nm级（1d）的第七代DRAM测试线。业界也将此测试线称为“单路径线”（one path），预期明年第一季度将完全建成。
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三星Exynos处理器或将交由台积电代工？
12月16日消息，据韩国媒体Thebell的报道，处于困境当中的三星电子半导体业务，由于尖端制程的良率过低，可能将导致其系统半导体业务（System LSI）部门自研的Exynos 2500旗舰手机芯片将无缘于新一代的Galaxy S25系列器件智能手机。为了解决这一困境，未来部分Exynos处理器可能将会外包生产，台积电可能将是首选。
三星HBM3E仍未通过英伟达认证！
12月12日消息，据外媒wccftech报道，三星电子近日在对投资人的报告中承认，其高带宽内存HBM3E依然没有通过英伟达的测试认证，但三星强调，对于接下来通过认证的结果保持乐观态度。韩国媒体Daily Korean也报道称，三星2024年内将无法完成向英伟达供应HBM3E的计划，但2025年确实会比较乐观。
张忠谋点评劲敌：英特尔欠缺新策略，三星遭遇技术问题
12月9日，台积电创始人张忠谋召开其自传下册新书发布会，广达董事长林百里，台积电共同创办人曾繁城、现任台积电董事长魏哲家、力积电董事长黄崇仁、宏达电董事长王雪红、威盛董事长陈文琦、大陆工程董事长殷琪、国巨董事长陈泰铭等产业大咖都应邀出席。在此次发布会上，张忠谋还回应了对于竞争对手——英特尔和三星目前所遭遇的问题的看法。
三星完成400层NAND Flash开发，最快2025年二季度末量产
12月9日消息，根据韩国媒体BusinessKorea报道称，三星电子在其半导体研究所中已经成功完成了突破性400层堆叠NAND Flash闪存技术的开发。同时，三星也自上个月开始，将这项先进技术转移到其平泽园区一号工厂中大规模生产线。而这一重要的里程碑的达成，将使得三星处于NAND Flash技术的领先位置，将有望领先已经宣布计划量产321层NAND Flash的SK海力士。
2024Q3全球前十大晶圆代工厂排名：台积电以64.9%份额居第一，中芯国际站稳第三
12月5月消息，根据市场研究机构TrendForce集邦咨询最新公布的报告显示，2024年第三季尽管总体经济情况未明显好转，但受益于下半年智能手机、PC/笔电新品带动供应链备货，加上AI服务器相关HPC需求持续强劲，整体晶圆代工产能利用率较第二季改善，第三季全球前十大晶圆代工业者产值季增9.1%，达349亿美元，这一成绩部分原因归功于高价的台积电3nm制程大量贡献产出，打破疫情期间创下的历史纪录。
传SK海力士将采用台积电3nm生产HBM4，三星考虑跟进
12月4日消息，据《韩国经济新闻》报道称，传闻韩国存储芯片大厂SK海力士（SK Hynix）应重要客户的要求，将于2025年下半以台积电3nm制程为客户生产定制化的第六代高频宽內存HBM4。
美国对华HBM出口管制规则公布：三大HBM原厂均受限
当地时间12月2日，美国《联邦公报》网站公布了由美国商务部工业和安全局（BIS）修订的新的《出口管制条例》（EAR），在正式将140家中国半导体相关企业列入了实体清单的同时，还公布了对于高带宽内存（HBM）的出口管制规则。
Tenstorrent完成6.93亿美元融资，三星证券与AFW Partners领投
12月2日消息，AI芯片初创公司Tenstorrent近日宣布完成了由三星证券和 AFW Partners 领投的 6.93 亿美元D轮融资，该轮融资的投前估值为 20 亿美元。据了解，由于投资者需求强劲，Tenstorrent的该轮融资获得超额认购。
三星与SK海力士合作，加速低功耗LPDDR6-PIM产品标准化
12月2日消息，据businesskorea报道，韩国存储芯片大厂三星电子与SK海力士正在合作研发标准化LPDDR6的存内计算（Processing In Memory，PIM）产品，以加速人工智能（AI）专用低功耗DRAM的标准化，以配合“端侧AI”（on-device AI）的趋势。两家公司认为有必要结盟，以将下一代DRAM商品化。
