2024Q1生成式AI手机市场：三星Galaxy S24系列独占58.4%份额！
6月1日消息，根据市场调研机构 Counterpoint Research 最新发布的报告显示，2024年第一季度，具备GenAI（生成式人工智能）功能的智能手机在全球智能手机销量当中的占比已经达到了6%，较上一季度的1.3%增长了超过3倍。
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三星晶圆厂设备发生辐射泄露事故，两名员工紧急送医
5月31日消息，据 SamMobile 报道，韩国芯片制造巨头三星电子位于京畿道龟兴市的工厂近日发生一起疑似辐射泄露事件，导致两名工人接受住院治疗。目前事故原因尚不清楚，韩国原子能安全委员会已对此事件展开调查。
2024年一季度全球NAND Flash营收环比增长28.1%
5月29日消息，根据TrendForce集邦咨询研究，2024年一季度全球NAND Flash市场营收环比增长28.1%，达147.1亿美元。主要受益于AI服务器厂商自今年2月起扩大采用Enterprise SSD，大容量订单开始涌现，以及PC、智能手机客户为为应对NAND Flash价格上涨而主动提高库存水平。
苏姿丰暗示AMD下一代芯片将采用三星3nm GAA制程
据韩国媒体《韩国经济日报》5月29日报道，AMD CEO苏姿丰在出席比利时微电子研究中心（imec）举办的2024年全球技术论坛（ITF World 2024）时披露，将采用3nm GAA制程量产其下一代的芯片。
三星电子工会2400人罢工
5月29日消息，据韩国媒体The elec报道，自三星电子1969年创立以来的最大工会组织——全国三星电子工人工会（Jeon Sam-no）今日宣布进入罢工状态，标志着公司史上首次由工会发起的罢工事件。
NAND Flash开始迈向300层
5月28日消息，根据市场研究机构的数据显示，今年一季度全球NAND Flash营收同比大幅增长30%，而这主要得益于NAND Flash的平均销售价格同比上涨了27%。
三星否认HBM3E质量问题！
5月27日消息，据韩国媒体Business Korea报道称，针对此前三星高带宽內存（HBM）未通过英伟达（NVIDIA）认证是因为功耗及散热问题的消息，三星予以了否认。
三星HBM因散热与功耗问题未通过英伟达认证
5月24日消息，据路透社引述市场人士的说法称，三星最新的高带宽內存（HBM）芯片由于散热和功耗问题，导致其尚未通过GPU大厂英伟达（NVIDIA）的测试认证。
在HPC和生成式AI的推动下，2029年先进封装市场将增长至695亿美元
5月21日消息，据市场研究机构Yole Group的数据显示，2023年第四季度全球先进封装市场收入环比增长4%至107 亿美元。2023年全年的先进封装市场营收约为378亿美元。尽管2023年需求持续疲软且客户库存持续消化，但有迹象表明 2024 年先进封装市场将恢复增长。
2024Q1全球智能手机AP市场：展锐出货暴涨64%，海思出货800万颗！
5月20日，知名调研机构Canalys公布了2024年一季度全球智能手机处理器（AP）市场报告显示，联发科以39%的出货量市场份额稳居第一，如果以销售额占比来看，苹果则以41%市场份额排名第一。
三星希望凭借第二代3nm制程争夺英伟达代工订单，但目前良率仅20%
5月21日消息，根据韩国媒体DealSite及X平台用户@Revegnus1的说法，三星即将在今年上半年量产的第二代3nm制程目前良率仅有20%，也就是说，一片晶圆上，每10颗芯片就有8颗是有缺陷的。相比之下，台积电的N3B制程良率已接近55%。这也影响三星争夺英伟达芯片代工订单的努力。
三星与SK海力士将采用1c DRAM打造新一代HBM4
5月20日消息，据韩国 ZDNet援引的最新行业消息称，韩国存储芯片大厂三星和 SK 海力士正计划使用1c制程的DRAM来开发下一代的HBM4内存。
