台积电N4e制程曝光，未来特殊制程产能将扩大50%
5月21日消息，根据Anandtech的报导，在日前的台积电年度技术论坛的欧洲站的路演当中，台积电向客户展示最新定名为名为N4e的新型低功耗节点的计划，该节点之前并未出现在其路线图上。台积电表示，未来几年内将把其在特殊技术制程的晶圆厂产能提高50%。
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三星希望凭借第二代3nm制程争夺英伟达代工订单，但目前良率仅20%
5月21日消息，根据韩国媒体DealSite及X平台用户@Revegnus1的说法，三星即将在今年上半年量产的第二代3nm制程目前良率仅有20%，也就是说，一片晶圆上，每10颗芯片就有8颗是有缺陷的。相比之下，台积电的N3B制程良率已接近55%。这也影响三星争夺英伟达芯片代工订单的努力。
三星与SK海力士将采用1c DRAM打造新一代HBM4
5月20日消息，据韩国 ZDNet援引的最新行业消息称，韩国存储芯片大厂三星和 SK 海力士正计划使用1c制程的DRAM来开发下一代的HBM4内存。
良率已接近N3E，台积电N3P将按计划在下半年投产
5月16日消息，据台媒报道，晶圆代工大厂台积电近期分享了其3nm（N3）家族的最新进度，相对于N3E来说，N3P将进一步提高性能效率和晶体管密度，目前的良率也已经接近N3E，将按原订计划于今年下半年投产。
台积电A16制程为何不用High NA EUV光刻机？
台积电对于应用High NA EUV光刻机并不积极，其最新公布的A16（1.6nm）制程并不会采用该设备。
台积电美国晶圆厂突发爆炸，一名工人重伤！官方回应来了
据美国亚利桑那州凤凰城消防局消息，当地时间5月15日下午，位于凤凰城北部的台积电晶圆厂发生了危险品爆炸事故，多个部门的消防队员在接到呼叫后做出快速响应。
传三星HBM3E未通过英伟达验证，原因或与台积电有关
存储芯片大厂美光、SK海力士和三星分别于2023年7月底、8月中旬、10月初向英伟达（NVIDIA）送去了八层垂直堆叠的24GB HBM3E样品以供验证，随后在2024年初，美光和SK海力士的HBM3E都通过英伟达的验证，并获得了订单，三星HBM3E却并未通过验证。
传台积电将在熊本建第三座晶圆厂
5月13日消息，继台积电在日本熊本县建设首座晶圆厂正式开业、并宣布在熊本建第二座晶圆厂的计划之后，熊本县新任知事木村敬于11日接受彭博资讯采访时表示，他将全力争取台积电在当地建设第三座晶圆厂，并已提议今年夏季到台积电总部访问，商讨相关事宜，致力于将熊本打造成日本半导体中心。
新思科技面向台积电先进工艺加速下一代芯片创新
加利福尼亚州桑尼维尔，2024年5月11日 – 新思科技（Synopsys, Inc.，纳斯达克股票代码：SNPS）近日宣布，携手台积公司在先进工艺节点设计开展广泛的EDA和IP合作，这些合作成果已应用于一系列人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和移动设计中。其中双方的最新合作是共同优化的光子集成电路（PIC）流程，使硅光子技术应用赋能更高功率、性能和晶体管密度的需求。
中芯国际Q1营收首度超越联电及格芯，成全球第三大晶圆代工厂！
5月9日晚间，中国大陆晶圆代工龙头大厂中芯国际公布了2024年一季度财报。虽然净利润因为应占联营企业与合营企业利润由盈转亏，导致同比大跌68.9%，但是营收和毛利率均优于官方的业绩指引，并且中芯国际一季度的营收首次超过了联电和格芯，有望成为仅次于台积电和三星的全球第三大晶圆代工厂商。
台积电、英特尔、三星纷纷发力背面供电技术
随着摩尔定律的演进，芯片内部的晶体管尺寸越来越小，密度也越来越高，堆叠层数也越来越多，可能需要穿过10~20层堆叠才能为下方的晶体管提供电源和数据信号，这导致互连线和电源线共存的线路层变成了一个越来越混乱的网络。同时，电子在向下传输的过程中，会出现IR压降现象，导致芯片晶体管接收电压降低，从而导致性能降低。
2023年中国台湾企业研发投入排名：台积电第一，联发科第二
5月6日，中国台湾省经济部统计处公布了产业经济统计信息指出，2023年台湾制造业上市柜公司营收净额同比下滑10.7%，不过研发支出持续成长，台积电2023年以投入新台币1,787亿元研发费用居第一，联发科以新台币806亿元位居第二，瑞昱则是以新台币201亿元排名第三。
