博世德累斯顿晶圆厂前厂长出任台积电欧洲子公司总裁
1月5日消息，据外媒报道，博世德累斯顿晶圆厂前厂长克伊区（Christian Koitzsch）将出任台积电欧洲半导体制造公司（European Semiconductor Manufacturing Company，ESMC）总裁，将负责德累斯顿新厂建厂。
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摩根大通：台积电2024及2025年都将实现20%的同比增长！
1月4日消息，随着消费电子市场的需求回暖，不少厂商开始对半导体库存进行回补，叠加AI芯片需求强劲，以及台积电新的N3B的量产，美系外资机构摩根大通（小摩）预期台积电今年营收有望同比增长20%，3nm(N3)家族制程将持续推动台积电业绩到2025年的强劲增长，给予台积电评级“优于大盘”，股价目标为新台币750元。
传三星晶圆代工一季度将降价5%-15%
1月4日消息，根据供应链爆料显示，三星晶圆代工部门（Samsung Foundry）今年一季度将跟进其他竞争对手的降价策略，提供5~15%的折让，并且释放出协商意愿。
台积电Roadmap曝光：2030年量产1nm，可实现单个封装超过1万亿个晶体管！
12月28日消息，据外媒tomshardware报道，晶圆代工大厂台积电在IEDM大会上分享了其最新的Roadmap，计划在2023年推出1nm级的A10制程，并依托于先进封装技术，实现单个封装上实现集成1万亿个晶体管的目标。
台积电N3P明年下半量产，传特斯拉第五代自动驾驶芯片将采用
12月26日消息，据MoneyDJ报道，供应链传出消息称，台积电2024年3nm新芯片设计定案（New Tape-Outs，NTOs）的数量激增，除了联发科、AMD、英伟达（NVIDIA）、高通、Intel等客户将接连导入外，目标2024年下半量产的N3P制程传闻也拿到了特斯拉的订单，预计将为特斯拉生产后续新世代的全自动辅助驾驶芯片（FSD芯片）。
三星延后美国新晶圆厂量产时间至2025年
12月26日消息，据韩国媒体Seoul Economic Daily报道，三星电子已将其位于德克萨斯州泰勒市（Taylor）的晶圆代工厂的量产时间推迟到了2025年，这也再次打击拜登政府急于增加美国国内半导体产能的雄心。
2nm芯片开发成本高达7.25亿美元，2nm晶圆制造成本将大涨50%
12月26日消息，据日经亚洲报道，随着先进制程的持续推进，每个新的制程节点的成本都在提升，并且提升的幅度越来越大。研究机构International Business Strategies(IBS)的分析认为，下一代的2nm制程的成本将会比目前的3nm制程上涨高达50%，最终导致 2nm 晶圆的价格将达到 3 万美元。
英特尔CEO：Intel 18A略优于台积电N2，美国AI将持续领先
12月21日消息，据外媒Barron’s 报道，英特尔CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）近日在接受采访时表示，Intel 18A制程性能表现将领先于台积电N2（2nm）制程。
台积电解析48纳米栅极间距的CFET技术
12月19日消息，在上周召开的国际电子器件会议（IEDM 2023）上，台积电发布了一篇标题《面向未来逻辑技术扩展的 48 纳米栅极间距的互补场效应晶体管 (CFET) 》的论文。这篇论文由大约 50 位不同的作者撰写，由 Sandy Liao 发表。
台积电董事长刘德音将于明年6月退休，魏哲家将接任
12月19日消息，晶圆代工大厂台积电今日宣布，公司董事长刘德音将于2024年6月股东会后退休，届时将由公司总裁魏哲家接任董事长之位。
台积电熊本晶圆厂即将完工，日本当地采购比例将达60%
12月18日消息，据日经新闻报道，台积电设立于日本熊本县的晶圆代工服务子公司JASM（Japan Advanced Semiconductor Manufacturing）社长堀田佑一在日本国际半导体展“SEMICON Japan 2023”上表示，台积电熊本第一座晶圆厂兴建工程顺利，即将完工，目标在2030年将日本当地的采购比重提高至60%。
