国产碳化硅晶片供应商天科合达科创板IPO获受理，已获大基金、哈勃投资入股
继6月底，国产碳化硅晶片供应商——北京天科合达半导体股份有限公司（以下简称“天科合达”）完成首次公开发行股票并在科创板上市辅导之后，7月14日，上交所正式受理了北京天科合达半导体股份有限公司（简称“天科合达”）科创板上市申请。
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倍思推出全球首款120W氮化镓+碳化硅 (GaN+SiC) 充电器
倍思于2019年推出了首款2C1A GaN氮化镓充电器引爆了的氮化镓充电器市场，热度持续不减，2020年2月25日，倍思再度推出全球第一款氮化镓+碳化硅 (GaN+SiC) 充电器，并在kickstarter众筹成功。该产品功率高达120W，并且同样搭配2C1A多口输出配置，相信也会引领一波热销。
5G时代最重要的半导体材料：碳化硅
进入 5G 世代，5G 产品大多具备高功率、高压、高温等特性，传统的硅 (Si) 原料因无法克服在高压、高频中的损耗，所以已无法满足新世代的科技需求，这使得碳化硅 (SiC) 开始崭露头角。
加码化合物半导体！三安光电拟募资70亿元，格力斥20亿力挺！
11月11日，全球 LED 芯片龙头企业三安光电（600703）发布2019年度非公开发行A股股票预案，拟非公开发行不超过8.16亿股，募集资金总金额不超过70亿元，投入半导体研发与产业化项目。
科锐将在美国纽约州建造全球最大SiC制造工厂
2019年9月23日，美国北卡罗莱纳州达勒姆讯 – 作为碳化硅（SiC）技术全球领先企业的科锐（Cree, Inc.，美国纳斯达克上市代码：CREE），于今日宣布计划在美国东海岸创建碳化硅（SiC）走廊，建造全球最大的碳化硅（SiC）制造工厂。科锐将在美国纽约州Marcy建造一座全新的采用最先进技术并满足车规级标准的200mm功率和射频（RF）晶圆制造工厂，而与之相辅相成的超级材料工厂（mega materials factory）的建造扩产正在公司达勒姆总部开展进行。
得碳化硅者得天下？华为投资第三代半导体材料公司
目前半导体技术领先的国家和企业都纷纷投入到碳化硅和氮化镓的研发和产业化中，产业链覆盖材料、器件、模块和应用等各个环节。而华为近日也在被曝光在该领域进行了投资。
5G应用的关键材料，一文看懂GaN产业链！
随着技术的发展，终端设备对于半导体器件性能、效率、小型化要求的越来越高。特别是随着5G的即将到来，也进一步推动了以氮化镓( GaN)第三代半导体材料的快速发展。
氧化镓到底是什么？为何能带来更高功率密度、更低功耗的新型电子器件？
目前，以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代化合物半导体受到的关注度越来越高，它们在未来的大功率、高温、高压应用场合将发挥传统的硅器件无法实现的作用。特别是在未来三大新兴应用领域(汽车、5G和物联网)之一的汽车方面，会有非常广阔的发展前景。然而，SiC和GaN并不是终点，最近，氧化镓(Ga2O3)再一次走入了人们的视野。
