“最强风投”入股，碳化硅大战拉开序幕
6月25日，露笑科技（002617）发布公告，露笑科技与合肥北城资本管理有限公司、长丰四面体新材料科技中心(有限合伙)、合肥长丰产业投促创业投资基金合伙企业(有限合伙)(以下简称“长丰产投”)、合肥露笑半导体材料有限公司签署了《合肥露笑半导体材料有限公司增资协议》，协议约定，对合肥露笑半导体增加1.1亿元注册资本，投促基金拟认缴目标公司新增注册资本9500万元，露笑科技拟认缴目标公司新增注册资本1500万元。
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总投资160亿元！湖南三安半导体产业园项目正式点亮投产
6月23日消息，今天上午，总投资160亿元的湖南三安半导体产业园项目一期正式点亮投产，这也是国内首条、全球第三条碳化硅全产业链生产线，月产能可达30000片6英寸碳化硅晶圆。
总投资6.3亿元！瀚天天成碳化硅二期项目主体封顶，华为哈勃投资持股4.6373%
6月2日消息，据厦门国家火炬高新区发布的消息显示，瀚天天成碳化硅产业园二期项目主体封顶
为扩大碳化硅供应量，英飞凌与昭和电工达成合作
5月12日消息，英飞凌今日宣布，为提高碳化硅（SiC）的供应安全，已和日本晶圆制造商昭和电工签订供应合约，供应包括磊晶在内的各种碳化硅材料，英飞凌因此可获得更多基材，以满足对SiC 型产品日益渐增的需求。
一文看懂台湾第三代半导体供应链
第三代半导体是未来十年最关键的半导体技术，涉及新能源、电动车、国防和航太工业的发展。但在全球第三代半导体竞赛中，中国台湾的实力又如何呢？
投资13.5亿元！年产15万片碳化硅项目在铜陵开工
近日，安徽微芯长江半导体材料有限公司成立暨建设工程奠基仪式在铜陵经开区举行。
明年氮化镓、碳化硅功率半导体市场将突破10亿美元！
根据 Omdia 的《2020 年 SiC 和 GaN 功率半导体报告》，在混合动力及电动汽车、电源和光伏逆变器需求的拉动下，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率半导体的新兴市场预计在 2021 年突破 10 亿美元。
国产碳化硅晶片供应商天科合达科创板IPO获受理，已获大基金、哈勃投资入股
继6月底，国产碳化硅晶片供应商——北京天科合达半导体股份有限公司（以下简称“天科合达”）完成首次公开发行股票并在科创板上市辅导之后，7月14日，上交所正式受理了北京天科合达半导体股份有限公司（简称“天科合达”）科创板上市申请。
倍思推出全球首款120W氮化镓+碳化硅 (GaN+SiC) 充电器
倍思于2019年推出了首款2C1A GaN氮化镓充电器引爆了的氮化镓充电器市场，热度持续不减，2020年2月25日，倍思再度推出全球第一款氮化镓+碳化硅 (GaN+SiC) 充电器，并在kickstarter众筹成功。该产品功率高达120W，并且同样搭配2C1A多口输出配置，相信也会引领一波热销。
5G时代最重要的半导体材料：碳化硅
进入 5G 世代，5G 产品大多具备高功率、高压、高温等特性，传统的硅 (Si) 原料因无法克服在高压、高频中的损耗，所以已无法满足新世代的科技需求，这使得碳化硅 (SiC) 开始崭露头角。
加码化合物半导体！三安光电拟募资70亿元，格力斥20亿力挺！
11月11日，全球 LED 芯片龙头企业三安光电（600703）发布2019年度非公开发行A股股票预案，拟非公开发行不超过8.16亿股，募集资金总金额不超过70亿元，投入半导体研发与产业化项目。
科锐将在美国纽约州建造全球最大SiC制造工厂
2019年9月23日，美国北卡罗莱纳州达勒姆讯 – 作为碳化硅（SiC）技术全球领先企业的科锐（Cree, Inc.，美国纳斯达克上市代码：CREE），于今日宣布计划在美国东海岸创建碳化硅（SiC）走廊，建造全球最大的碳化硅（SiC）制造工厂。科锐将在美国纽约州Marcy建造一座全新的采用最先进技术并满足车规级标准的200mm功率和射频（RF）晶圆制造工厂，而与之相辅相成的超级材料工厂（mega materials factory）的建造扩产正在公司达勒姆总部开展进行。
