英特尔3D Foveros封装产能2025年将提升四倍
8月24日消息，英特尔目前在积极投入先进制程研发的同时，在先进封装领域也是火力全开。目前英特尔在马来西亚槟城兴建最新的封装厂，以强化其2.5D/3D封装布局版图，近日更是提出了2025年时，旗下最先进的3D Foveros封装产能将较目前大增四倍，并开放给外部客户单独采用。
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无需EUV也能实现尖端制程，定向自组装技术再度兴起！
可以说在过去几十年，半导体产业在摩尔定律的推动下持续高速发展。但随着晶体管缩放尺寸逐渐逼近物理极限，半导体工艺制程的推进也越来越困难，“摩尔定律”已死的说法被越来越多的人认同。目前台积电、三星、英特尔等少数的尖端制程制造商，也只能依靠着越来越昂贵的EUV光刻机在艰难的推动半导体制程微缩，但是这依旧面临着非常多的工艺上的挑战以及成本难题。对此，科技界也希望寻找一些新的技术路径来改变目前的半导体制造困境，比如定向自组装（DSA）技术。
传Intel 20A制程将仅供內部使用，不会向代工客户提供
8月22日消息，英特尔正在持续推进其IDM 2.0战略，不仅要在4年内完成Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 20A和Intel 18A五个先进制程节点，在2024年量产Intel 20A和Intel 18A，还要将其尖端制程技术应用于晶圆代工业务，如果这一目标顺利实现，将有望使得英特尔反超台积电，成为先进制程晶圆代工领域的技术领导者。不过，最新的消息显示，Intel 20A将仅供英特尔内部使用，不会开放给代工客户使用。
中国海关破获英特尔CPU走私案，价值超百万
据中国海关消息，近日，拱北海关所属港珠澳大桥海关查获一起涉嫌利用跨境客车改装暗格夹藏780个CPU走私案。
英特尔开启新一轮裁员，加州地区将裁员140人！
8月18日消息，据外媒报导，由于此前的裁员未到达预期的效果，英特尔正计划进一步扩大裁员，近期将在加州裁员140人。
性能吊打英特尔Xeon、英伟达H100！这款“万能CPU”升级到192核了！
8月17日消息，斯洛伐克的服务器芯片设计公司Tachyum去年曾推出了128核的Prodigy（神童）处理器，号称在性能、功耗、成本等方面均吊打英特尔Xeon处理器的。近期，Tachyum又带来了更为强大的Prodigy 2 处理器，不仅内核数量提升到了192核，同时在缓存容量等众多方面都有提升。
英特尔54亿美元收购高塔半导体失败，将支付3.53亿美元终止费
当地时间8月16日，英特尔公司宣布，由于无法及时获得相关监管部门的许可，英特尔与高塔半导体（Tower Semiconductor）双方同意终止之前披露的收购协议。根据之前的协议条款，英特尔将向高塔半导体支付3.53亿美元的终止费。
英特尔或将放弃收购高塔半导体，需支付3.53亿美元分手费
8月16日消息，据彭博社报道，知情人士透露，由于在最后交易期限之前仍未获得监管机构的批准，预计英特尔将放弃以54亿美元收购以色列晶圆代工厂高塔半导体（Tower Semiconductor）计划。
帕特·基辛格：英特尔应获得更多补贴！美国对华限制需放宽！
8月16日消息，据外媒TomsHardware报道，近日，英特尔CEO基辛格（Pat Gelsinger）在“Aspen Security Forum 2023”会议上就美国“芯片法案”再度表示，英特尔应该拿到比台积电、三星等其他竞争对手更多的补贴。同时还表示，对于中国的制裁已经过多，这将冲击到英特尔在中国的业务。
最后期限已到！未获中国批准！英特尔54亿美元收购高塔半导体或将失败！
8月15日，英特尔54亿美元收购以色列模拟半导体解决方案代工厂商高塔半导体（Tower Semiconductor）的交易已到最后期限，但截至芯智讯发稿时（北京时间8月15日19:20），该交易仍未获得中国监管部门批准，如果交易双方不再延长交易期限的话，该交易就将以失败告终。
新思科技与英特尔达成战略合作，将开发基于Intel 3 和Intel 18A 制程的IP组合
当地时间8月14日，处理器大厂英特尔和EDA（电子设计自动化）大厂新思科技（Synopsys）共同宣布，双方已达成最终协议，以扩展公司长期存在的 IP（知识产权）和 EDA 战略合作伙伴关系，为英特尔代工客户开发基于Intel 3 和Intel 18A 的 IP 组合。英特尔先进工艺节点上关键IP的可用性将为新老英特尔代工服务（IFS）客户提供更强大的产品。
三星公布芯片背面供电技术：可使芯片面积缩小14.8%，布线长度减少9.2%！
8月12日消息，台积电、三星、英特尔等晶圆制造大厂都在积极布局背面供电网络技术（BSPDN），并将导入尖端的逻辑制程的开发蓝图。据韩国媒体 The Elec 报道，继英特尔公布了其命名为“PowerVia”的背面供电技术将导入Intel 20A制程工艺之后，三星电子在此前日本VLSI研讨会上也公布了其背面供电技术的研究结果，也将用于其2nm制程工艺。
