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三星组建先进封装工作组,欲追上台积电与英特尔

三星成立先进封装工作组,发力先进封装技术

虽然在半导体先进制程工艺方面,近日三星成功抢先台积电量产了3nm GAA制程工艺,但是在2.5/3D先进封装技术方面,三星仍落后于英特尔和台积电。而为了缩短这方面的差距,三星也已经组建了新的半导体封装工作组发力先进封装技术。

英特尔研究院公布集成光电研究新进展

6月28日,英特尔研究院宣布其集成光电研究取得重大进展,这是提高数据中心内和跨数据中心计算芯片互联带宽的下一个前沿领域。这一最新研究在多波长集成光学领域取得了业界领先的进展,展示了完全集成在硅晶圆上的八波长分布式反馈(DFB)激光器阵列,输出功率均匀性达到+/- 0.25分贝(dB),波长间隔均匀性到达±6.5%,均优于行业规范。
最后期限已至,台积电等数十家半导体企业已向美国提交资料-芯智讯

台积电二季度营收将有望超越英特尔

6月27日消息,据台湾媒体报道,得益于晶圆代工业务持续增长,台积电最快或将在今年二季度营收上首次追上英特尔,成为全球第二大半导体厂,仅次于三星,并在第三季传统旺季进一步拉开与英特尔的差距,确立其在全球半导体业「坐二望一」的地位。

英特尔即将量产的Intel 4 放弃钴互联,铜互联还是无法替代?

近日,英特尔在2022 IEEE VLSI 技术和电路研讨会上,展示了许多涉及其Intel 4(英特尔10nm,相当于台积电4nm)工艺的论文。其中一点就是,新的Intel 4选用了铜互连连接。早前英特尔原本打算在10nm芯片互连中采用钴(Co)这种新材料,但是众所周知,英特尔在10nm工艺经历了挫败,业界认为,与钴的集成问题可能是英特尔10nm延迟问题的部分原因。过去我们往往只关心晶体管的大小,但是现在随着芯片微缩逐渐来到极限,芯片互连问题已经不能被继续忽略。

因美国“芯片法案”难产,英特尔推迟俄亥俄州晶圆厂奠基仪式

6月24日消息,据华尔街日报报道,英特尔推迟了此前计划于7月22日与俄亥俄州及联邦政府高官一起为其俄亥俄州晶圆厂举行的奠基仪式。据华尔街日报看到的一封电子邮件显示,英特尔已于当地时间本周三告诉了相关官员,它将无限期推迟庆祝活动,至于推迟的原因,“部分是由于围绕着停滞不前的为美国生产半导体法案创造有益激励措施的不确定性”。

高通CEO:希望与其他芯片厂商共同投资Arm

据英国《金融时报》5月30日报道,美国芯片厂商高通CEO近日对外表示,希望与竞争对手共同购买英国芯片制造商Arm股份,并创建一个财团,以保持Arm在竞争激烈的半导体市场上的中立性。

三星李在镕与英特尔基辛格会晤,将展开存储、系统芯片、代工、PC与移动设备等多领域合作

5月31日消息,据韩国前锋论坛报报导,韩国半导体巨头三星电子昨日对外透露,将与英特尔合作,展开下一代存储芯片、系统芯片、晶圆代工、个人电脑(PC)与移动设备等多领域合作。其中,以晶圆代工最受市场关注,业界解读为英特尔藉由同时与台积电、三星合作的两手策略,提升议价权,并借此制衡两个“亦敌亦友”的业界巨头。