当地时间9月11日,英飞凌科技股份公司(infineon)宣布,公司已成功开发出全球首款300毫米(12英寸)功率氮化镓(GaN)晶圆技术。英飞凌是世界上第一家在现有且可扩展的大批量制造环境中掌握这项突破性技术的公司。这一突破将有助于大幅推动基于 GaN 的功率半导体市场。与 200 mm 晶圆相比,300 mm 晶圆上的芯片生产在技术上更先进,效率更高,因为更大的晶圆直径每个晶圆可容纳 2.3 倍的芯片。
据中国贸易救济信息网7月29日消息,美国英飞凌科技(Infineon Technologies Americas Corp.)、美国英飞凌技术奥地利公司(Infineon Technologies Austria AG)根据《美国1930年关税法》第337节规定向美国际贸易委员会提出申请,指控中国氮化镓(GaN)芯片厂商英诺赛科及其子公司对美出口、在美进口及销售的特定半导体器件及其下游产品(Certain Semiconductor Devices and Products Containing the Same)侵犯了其专利,违反了美国337条款。