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ASML将与三星共同投资54.5亿元在韩国建研发中心

12月13日消息,光刻机大厂ASML宣布,已与韩国三星电子签署备忘录,将共同投资1万亿韩元(约合人民币54.5元)在韩国建立研究中心,并将利用下一代极紫外(EUV)光刻机研究先进半导体制程技术。另外,ASML也宣布与SK海力士签署ESG备忘录,双方在包括环境、社会和公司治理项目展开合作。
斥资100亿美元!纽约州携手IBM/美光/应用材料/东京电子建High-NA EUV研发中心

斥资100亿美元!纽约州携手IBM/美光/应用材料/东京电子建High-NA EUV研发中心

12月13日消息,当地时间11日,美国纽约州长Kathy Hochul宣布,与包括IBM、美光、应用材料(Applied Materials)、东京电子(Tokyo Electron)等半导体大厂达成一项合作协议,预计将投资100亿美元在纽约州Albany NanoTech Complex(奥尔巴尼纳米技术综合体)兴建下一代High-NA EUV半导体研发中心,以支持世界上最复杂、最强大的半导体的研发。
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尼康宣布推出全新ArF浸没式光刻机NSR-S636E,生产效率提升15%

12月9日消息,根据日本光刻机大厂尼康(Nikon)官方消息,其将于2024年1月正式发布ArF浸没式光刻机NSR-S636E。尼康称,作为半导体生产过程中关键层的曝光系统,NSR-S636E具有尼康历史上更高的生产效率,并具有高水准的套刻精度和生产速度,可为尖端半导体器件中的 3D 等器件结构多样化的挑战提供解决方案。 
又玩数字游戏?台积电第四代16nm要改名12nm?

传台积电2024年资本支出或将降至280亿美元

12月5日消息,有市场传闻称,台积电因部分制程机台设备可共享,加上部分递延预算将在今年动用,明年资本支出可能降为280亿美元至300亿美元,较今年下滑6.3%至12.5%,恐下探近四年来低点,由此也将导致降低对于半导体设备的下单量。
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三星自研EUV光罩保护膜透光率已达90%

12月4日消息,据韩国媒体Business Korea报导,三星电子DS部门研究员Kang Young-seok表示,三星使用的EUV光罩保护膜(EUV pellicles)透光率(transmission rate)已达90%,计划将进一步提高至94-96%。
ASML 準備更換舵手,提名 Christophe Fouquet 成新總裁兼執行長

ASML CEO即将退休,现任COO获提名接任

12月1日消息,根据ASML最新公告显示,荷兰光刻机大厂ASML首席执行官Peter Wennink和首席技术官Martin van den Brink都将在2024年退休,因此提名Christophe Fouquet成为新的总裁兼首席执行官,目前还要等待股东的批准,预计会在2024年4月24日举行的下一次ASML股东大会,在股东们通过提案后后正式接任。

ASML中国区总裁沈波:中国ASML机台装机量已接近1400台!

2023年11月5日-10日,第六届中国国际进口博览会(以下简称“进博会”)将在上海全面线下举办。光刻设备领先供应商阿斯麦(ASML)今年也将第五次参加进博会,公司将以“光刻未来,携手同行”为主题,亮相国家会展中心技术装备展区集成电路专区,并首次以互动视频的形式带领观众深度了解ASML包括光刻机台、计算光刻以及光学和电子束量测在内的全景光刻解决方案如何相互协作、支持客户。