2月29日消息,据外媒Tomshardware报导,ASML与英特尔于本周宣布达成了High NA EUV的重要里程碑。ASML已向英特尔交付的最先进High NA EUV光刻机Twinscan EXE:5000的主要部件已经启动,即首度打开光源并使光线到达晶圆上的抗蚀层,并开始运作,表示光源和反射镜已正确对准。这是High-NA EUV光刻机启动过程中的关键一步,尽管目前尚未达到峰值性能。
近日,全球光刻机大厂ASML展示了最新一代的High NA EUV光刻机,除了已经率先获得全球首台High NA EUV光刻机的英特尔之外,台积电和三星订购High NA EUV预计最快2026年陆续到位,届时High NA EUV将成为全球三大晶圆制造厂实现2nm以下先进制程大规模量产的必备“武器”。