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ASML二季度来自中国大陆销售额占比升至24%,浸没式DUV销量环比增长56%-芯智讯

2023年12月中国从荷兰进口光刻机金额同比暴涨1000%!

1月22日消息,据彭博社援引中国海关数据汇总显示,2023年,中国大陆用于芯片制造的半导体设备的进口总额达到了接近400亿美元,同比增长了14%,这也是自2015年有记录以来的第二大进口额,反应了中国积极发展半导体制造业的努力。
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传英特尔已采购了6套High-NA EUV光刻机

12月19日消息,据外媒sammobile的报道,韩国三星日前与荷兰半导体设备商ASML签署了价值1万亿韩元(约7.55亿美元)的协议,两家公司将在韩国投资建造半导体芯片研究工厂,并将在该研究工厂开发新一代EUV半导体制造技术。三星电子副董事长兼设备解决方案部门负责人Kyung Kye-hyun强调,两家公司的最新协议将帮助其获得下一代High-NA EUV光刻机。

ASML将与三星共同投资54.5亿元在韩国建研发中心

12月13日消息,光刻机大厂ASML宣布,已与韩国三星电子签署备忘录,将共同投资1万亿韩元(约合人民币54.5元)在韩国建立研究中心,并将利用下一代极紫外(EUV)光刻机研究先进半导体制程技术。另外,ASML也宣布与SK海力士签署ESG备忘录,双方在包括环境、社会和公司治理项目展开合作。
斥资100亿美元!纽约州携手IBM/美光/应用材料/东京电子建High-NA EUV研发中心

斥资100亿美元!纽约州携手IBM/美光/应用材料/东京电子建High-NA EUV研发中心

12月13日消息,当地时间11日,美国纽约州长Kathy Hochul宣布,与包括IBM、美光、应用材料(Applied Materials)、东京电子(Tokyo Electron)等半导体大厂达成一项合作协议,预计将投资100亿美元在纽约州Albany NanoTech Complex(奥尔巴尼纳米技术综合体)兴建下一代High-NA EUV半导体研发中心,以支持世界上最复杂、最强大的半导体的研发。
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尼康宣布推出全新ArF浸没式光刻机NSR-S636E,生产效率提升15%

12月9日消息,根据日本光刻机大厂尼康(Nikon)官方消息,其将于2024年1月正式发布ArF浸没式光刻机NSR-S636E。尼康称,作为半导体生产过程中关键层的曝光系统,NSR-S636E具有尼康历史上更高的生产效率,并具有高水准的套刻精度和生产速度,可为尖端半导体器件中的 3D 等器件结构多样化的挑战提供解决方案。 
又玩数字游戏?台积电第四代16nm要改名12nm?

传台积电2024年资本支出或将降至280亿美元

12月5日消息,有市场传闻称,台积电因部分制程机台设备可共享,加上部分递延预算将在今年动用,明年资本支出可能降为280亿美元至300亿美元,较今年下滑6.3%至12.5%,恐下探近四年来低点,由此也将导致降低对于半导体设备的下单量。
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三星自研EUV光罩保护膜透光率已达90%

12月4日消息,据韩国媒体Business Korea报导,三星电子DS部门研究员Kang Young-seok表示,三星使用的EUV光罩保护膜(EUV pellicles)透光率(transmission rate)已达90%,计划将进一步提高至94-96%。