业界 受HBM3e产出放量带动,今年底HBM投片量将占DRAM原厂先进制程总产能35% 5月20日消息,据TrendForce研究,三大DRAM原厂开始提高先进制程投片,继DRAM合约价上涨后,原厂资金增加,产能提升将集中在今年下半年。其中,1 alpha纳米以上投片至年底将占DRAM总投片比重约40%。2024年5月21日
业界 群联CEO潘健成:NAND Flash价格上涨将冲击消费类市场需求! 5月13日消息,存储控制器大厂群联于10日召开法说会,公布了2024年第一季营收。群联CEO潘健成表示,近期NAND Flash原厂持续推升存储芯片价格,影响了消费类NAND Flash市场的需求。2024年5月13日
业界 华为Pura 70 Ultra手机DRAM及NAND揭秘 5月11日消息,TechInsights 最近对华为的 Pura 70 Ultra 和 Pro Plus 系列智能手机进行了拆解和技术分析,虽然Pura 70 Ultra中的DRAM 和 NAND 闪存的封装上虽然没有提供表明制造商的外部标记,但是经过分析发现,其NAND 闪存是由中国厂商制造的,但 DRAM 则来自韩国的三星电子。2024年5月11日
业界 SK海力士一季度营业利润有望突破2万亿韩元 4月17日消息,据韩国媒体BusinessKorea报道,鉴于人工智能热潮所带来的内存需求增长,分析师看好存储芯片大厂SK海力士(SK hynix)一季度的营业利润有望挑战2万亿日元,扭转去年同期亏损的局面。2024年4月17日
业界 佰维存储Q1净利暴涨242.84%,股价涨停!存储芯片涨价能否持续? 4月16日晚间,国产存储模组厂商佰维存储发布了2024年第一季度业绩预告,预计公司第一季度实现营业收入为 170,000 万元至 180,000 万元,同比暴涨 299.54%至 323.04%;实现归属于母公司所有者的净利润为1.5亿元至1.8亿元,同比暴涨219.03%~242.84%,实现扭亏为盈。2024年4月17日
业界 存储芯片市场逆转,三星一季度营业利润将暴涨931.25%! 4月6日消息,据三星电子公布的初步数据显示,在2024年第一季度三星电子营业利润约为6.6万亿韩元(约合353.76亿元人民币),同比暴涨931.3%,结束了自2022年第三季度以来连续六个季度的下滑。2024年4月6日
业界 三星、SK海力士下半年DRAM晶圆投片量将恢复到减产前 4月3日消息,据《朝鲜日报》引用市场研究机构Omdia的报告指出,包括三星电子、SK海力士等韩国DRAM大厂,在2024年下半年DRAM內存的晶圆投片量有望回归减产前水准,结束近一年的减产,达到DRAM业务正常化的目标。2024年4月4日
业界 营收大涨58%,股价暴涨14%!美光:明年绝大部分HBM产能已售罄! 当地时间3月20日,美国存储芯片大厂美光(Micron)公布了截至2024年2月29日的2024财年第二季财报。2024年3月22日
业界 存储芯片涨价+增产,三星一季度利润将暴涨669%? 3月18日消息,受过去两年半导体市场需求下滑的影响,三星存储芯片部门连续多个季度一直处于亏损当中。财报显示,整个2023财年,三星的半导体业务亏损额高达14.88万亿韩元(约合人民币800.5亿元)。不过,在2023年一季度后,三星启动了减产计划,推动了半导体业务的亏损持续收窄,其中DRAM业务已率先于2023年四季度扭亏为盈。现在,随着市场需求的持续回暖,以及NAND Flash价格的回升,将带动三星半导体乃至整个三星电子业绩的改善。2024年3月18日
业界 客户接受涨价要求,DRAM价格已经连续4个月上涨 据日经新闻3月12日报导,因看好PC市场即将出现的换机需求,客户为了稳定采购,开始接受DRAM厂商的涨价要求,带动智能手机、PC、数据中心服务器DRAM价格连续4个月上涨。2024年3月13日
业界 为降低DRAM制造成本,传美光将率先采用佳能纳米压印设备 据外媒报道称,美光近日在一场演讲当中介绍了如何将纳米压印技术用于DRAM生产的细节,这似乎也预示着美光将会率先采用佳能的NIL设备用于DRAM芯片的生产,以便进一步降低DRAM的制造成本。2024年3月5日
业界 量价齐升,2023Q4全球DRAM营收环比增长近30% 3月5日消息,据市场研究机构TrendForce公布的最新数据显示,受益于去年四季度备货动能回暖,以及三大DRAM原厂控产效应显现,主流DRAM产品的合约价格上涨,带动2023年第四季全球DRAM产业营收达174.6亿美元,环比增长29.6%。目前观察2024年第一季DRAM市场趋势,原厂目标仍为改善获利,涨价意图强烈,促使DRAM合约价单季环比涨幅近20%,但是出货的比特容量则面临传统淡季而略为衰退。2024年3月5日