SK海力士完成1b DRAM制程技术研发，预计今年量产
5月31日消息，韩国存储芯片大厂SK 海力士宣布，已经完成了 1b 制程技术 （第五代 10nm 等级） 研发，并将基于其技术生产的 DDR5服务器DRAM 进行“英特尔数据中心存储认证程序 ”（The Intel Data Center Certified memory program），这是英特尔第四代 Sapphire Rapids 的第四代 Xeon 可扩展数据中心处理器所采用的存储产品的兼容性认证流程。
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传三星第三季度起将对华城S3产线减产10%
5月26日消息，据韩国媒体Aju News 报道，三星计划自 2023 年第三季度开始，对韩国华城园区 S3 工厂减少至少 10% 的晶圆投片量。这也是三星此前宣布减产存储芯片计划的一部分。
三星研发4F² DRAM储存单元结构，面积最高可减少30%
5月26日消息，据韩国媒体The Elec报道，存储芯片大厂三星组建了一支专业团队，负责开发 4F² DRAM 储存单元结构。相较现有 6F² DRAM 储存单元结构，在不改变制程下，4F² DRAM 储存单元结构芯片面积最高可减少达 30%。
一季度DRAM市场营收环比下滑21.2%，已连续三个季度下滑
5月25日消息，据市场研究机构TrendForce报告，2023年一季度DRAM产业营收约96.6 亿美元，环比下滑21.2%，已续三个季度下跌。出货量方面仅美光有上升，企业存储厂商均衰退；平均销售单价方面，三星、SK海力士、美光这三大原厂均下跌。目前因供过于求尚未改善，价格依旧继续下跌，但是在原厂陆续减产后，DRAM下半年价格跌幅将有望逐季收窄。展望第二季，虽DRAM出货量增加，但因价格跌幅仍较大，预期营收增长幅度有限。
SK海力士预计半导体市场三季度复苏，已启动3.73亿美元筹资计划
5月18日消息，据《韩国经济日报》报道，存储芯片大厂SK海力士正准备启动高达5,000亿韩元（约3.73亿美元）筹资计划，以更好的应对后续的半导体市场复苏。
SK海力士拟扩大无锡厂旧制程产能，消费级DRAM价格恐难反弹
5月5日消息，据 TrendForce 表示，美国商务部 2022 年 10 月 7 日颁布半导体限制措施，中国境内进口18nm以下DRAM制造所需的美国设备要进过美国商务部审查。SK海力士（SK hynix）无锡厂虽然有望再获一年的“豁免”许可，但担忧地缘政治风险升高，加上需求清淡导致库存压力持续，今年第一季度开始减产，每月投片量将减少约 30%。
Q1半导体业务巨亏236亿元！三星存储芯片或将减产25%！
据《韩国先驱报》（The Korea Herald）报导，三星在上周四的一季度财报电话会议上再度表示，将开始削减存储芯片产量，但仍未具体说明减产规模。但据韩国分析师预计，三星预计最多将削减高达25%芯片产量以缓解库存问题。这相比之前外界曝光的减产幅度大幅提高。
传三星将大砍西安厂NAND Flash产能
4月21日消息，韩国媒体BusinessKorea报道，三星电子的NAND Flash闪存产能将减产5%，主要调整的是其位于中国西安厂的产能。
三星减产DRAM关键原因：研发松懈，降成本速度减慢？
4月14日，据韩国媒体The Elec报导，消息显示，三星导入更先进制程以降低DRAM成本的速度进一步趋缓，这或许也是三星不得不跟进美光、SK 海力士减产的一个原因。因为，如果能快速引入先进制程，那么降低成本的速度就能快一些，三星或许就不必减产，还可趁著产业景气衰退之际扩大市占率。
手机及PC市场需求疲软，DRAM价格连续11个月下跌，三季度末才能触底？
4月13日消息，据日经新闻报道，由于智能手机、PC市场需求持续疲软，使得客户端缩减DRAM采购量，拖累了今年3月份DRAM价格连11个月下滑，而美光、铠侠、三星等存储大厂虽然减产，但预计价格触底恐怕要等到三季度末。
三星将减产DDR4 DRAM，预计持续3到6个月！
4月10日消息，三星电子日前公布的财报显示，受存储芯片需求及价格持续下滑影响，今年一季度三星净利润同比暴跌96%，创2009年金融危机以来最低。为了挽回业绩下滑的颓势，三星也一改之前坚决不减产的态度，宣布对存储芯片进行减产，这也是自 1998 年金融危机以来，三星时隔 25 年首次正式进行减产。但是三星并未公布具体的减产规模。
美光被“审查”的背后，会带来什么样的连锁反应？
3月31日晚间，国家互联网信息办公室下设的“网络安全审查办公室”宣布按照《网络安全审查办法》对美国存储芯片大厂美光公司(Micron)在华销售的产品实施网络安全审查。此消息一发布，立刻引发了业内的热议，都在讨论此事可能对于整个存储芯片市场所带来的影响。
