美光第二财季巨亏23.12亿美元！DRAM均价仍将再跌10%~15%
3月29日消息，存储芯片大厂美光（Micron）本周公布了截止2023年3月2日的2023财年第二财季财报，当季营收36.93亿美元，同比大幅下滑52.5%，净亏损高达23.12亿美元，创下2003年第二财季（亏损19.4亿美元）以来的历史单季亏损新高。
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美光、SK海力士已启动减产！2023年二季度DRAM均价将再跌10%~15%，仍不见止跌信号
3月29日消息，据市场研究机构TrendForce发布报告称，为应对DRAM市场的持续下滑，美光（Micron）、SK 海力士（SK Hynix）等存储大厂已启动 DRAM 减产，预计第二季 DRAM均价跌幅会收敛至 10%~15%（第一季跌幅近 20%）。不过下半年需求复苏状况仍不明确，DRAM 均价下行周期尚不见终止，目前原厂库存水位仍高情况下，除非有更大规模减产，后续合约价才有可能反转。
3D DRAM正加速商业化
3月20日消息，据韩国媒体businesskorea报道，全球DRAM领导厂商三星电子和SK海力士正在加快推进3D DRAM的商业化。有业内人士认为，3D DRAM将改变存储器行业的游戏规则。不过，在DRAM行业排名第三的美光自2019年以来就已经开始了3D DRAM的研究，获得的专利数量是这两家韩国芯片制造商的两到三倍。
DRAM，加速走向3D
随着10nm制程的临近，使其在晶圆上定义电路图案已经接近基本物理定律的极限。由于工艺完整性、成本、单元泄漏、电容、刷新管理和传感裕度等方面的挑战，DRAM存储单元的缩放正在放缓。
美国商务部副部长：将对三星、SK海力士在华晶圆厂的发展设置上限！
2月27日消息，当地时间上周四，美国商务部副部长艾伦·埃斯特维兹 (Alan Estevez)在美国战略与国际问题研究中心（CSIS）组织的“韩美经济安全论坛”上表示，在美国对华半导体出口管制新规出台之后，将禁止某些半导体技术进入中国大陆，虽然也会为在中国生大陆设厂的非中国大陆芯片制造商（三星、SK海力士等）设定配额，但将会对他们在中国大陆的发展设置上限。
原材料出现质量问题，SK海力士DRAM工厂出现生产事故
2月17日消息，据外媒报道，由于SK海力士使用的锆(Zr)基高K材料存在质量问题，本月SK海力士发生部分DRAM晶圆报废的工艺事故。至于具体损失如何，目前尚不清楚。
三星DRAM间接减产9%，预计下半年恢复正常供需
2月21日消息，据韩国媒体报导，半导体市场分析师表示，基于预估 DRAM 第二季库存回到健康水平、价格下跌放缓，加上三星宣布间接减产达9%，预计占全球 DRAM 产量4%，市场共识三星获利下跌在第一季财报发表前后回稳。
传三星、SK海力士高层紧急赴美，争取“芯片法案”及对华新规豁免权
2月8日消息，据南韩媒体Pulse by Maeil Business News Korea引述业界消息爆料称，三星电子、SK海力士高层最近已前往美国，希望获得美国《芯片与科学法案》(Chips and Science Act，CHIPS Act)的豁免权，以及延长对三星、SK海力士在华半导体工厂的出口管制豁免期。
2023年第一季DRAM均价将继续下跌13~18%
1月9日消息，据TrendForce集邦咨询研究显示，由于消费需求疲弱，存储器卖方库存压力持续，仅三星（Samsung）在竞价策略下库存略降。为避免DRAM产品再大幅跌价，诸如美光（Micron）等多家供应商已开始积极减产，预估2023年第一季DRAM价格跌幅可因此收敛至13~18%，但仍不见下行周期的终点。其中，PC及Server DRAM跌幅仍是近两成左右；Mobile DRAM在获利空间最为压缩的现况下，是跌幅收敛较明显的品项。
无惧半导体需求下滑！三星宣布大幅提升平泽P3厂DRAM及晶圆代工产能
12月27日消息，根据韩国《首尔经济日报》 报导，尽管全球经济形势持续放缓，半导体市场需求也在持续下行，但三星仍计划在2023 年逆势将平泽P3厂的DRAM 和晶圆代工产能提高约10%。
三星宣布推出12纳米级DDR5 DRAM，传输速率高达7.2Gbps
12月21日消息，存储芯片大厂三星电子今天宣布推出全球首款传输速率高达 7.2 Gbps 的 12 纳米级 DDR5 DRAM内存芯片，并且该芯片已经完成了与AMD处理器兼容性的产品评估。
中国允许美国商务部对长江存储进行核查，以避免其被列入实体清单
12月9日消息，据英国《金融时报》报导，美国政府表示中国政府同意让步，允许美国对10 月列入“未经核实名单”的中国高科技公司进行出口管制检查，似乎要确保中国3D NAND Flash 供应商长江存储不会被列入出口限制实体清单，以至于无法从美国企业采购半导体设备。
