技术及产能差距持续缩小，中国未来或将主导全球SiC产业！
在10月22日，由EEVIA主办的第12届中国硬科技产业链创新趋势峰会暨百家媒体论坛活动上，清纯半导体(宁波)有限公司市场经理詹旭标则表示，随着全球SiC材料产能的快速扩张，以及中国SiC器件设计及制造技术发展快速，产能持续扩张，预计到2026年全球碳化硅市场将会出现严重的产能过剩。但是中国厂商SiC技术的持续迭代，已经达到比肩国际一线厂商的水平，中国未来或将主导全球SiC半导体产业。
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2029年全球SiC 器件市场规模将达到近100亿美元
近日，市场研究机构 Yole Group 发布了《功率 SiC – 2024 年市场和应用》报告，预计到 2029 年，SiC 器件市场规模将达到近 100 亿美元，2023 年至 2029 年的复合年增长率 （CAGR） 高达 24%。
Wolfspeed推出2300V碳化硅模块
近日， 碳化硅（SiC）技术大厂Wolfspeed宣布推出了一款用于 1500V 直流总线应用的 2300V 无铜底板碳化硅功率模块，采用 Wolfspeed 最先进的 200mm 碳化硅晶片开发和推出，旨在通过提高效率、耐用性、可靠性和可扩展性来改变可再生能源、储能和大容量快速充电行业。
世界先进斥资5.5亿元认购汉磊13%股权，携手开发8英寸碳化硅晶圆
9月10日，半导体大厂汉磊与世界先进共同宣布签订策略合作协议，双方将携手合作，推动化合物半导体碳化硅（SiC）8英寸晶圆的技术研发与生产制造；世界先进将投资新台币24.8亿元（约合人民币5.5亿元），向汉磊认购5,000万股私募普通股，取得汉磊13%股权，以共同推动具竞争优势的产品制造服务，建立双方的长期策略合作关系。
一手好牌打的稀烂！这家碳化硅巨头终将破产？
当地时间8月21日，碳化硅晶圆大厂Wolfspeed于美股盘后公布了截至6月30日的2024年第四季财报，当季营收金额约2.007亿美元，略低于FactSet统计的分析师预估2.013亿美元；当季亏损1.749亿美元，相当每股亏损1.39美元；经调整每股EPS亏损89美分，亏损幅度高于分析师预估的85美分。
罗姆子公司SiCrystal在德国扩产，SiC产能将扩大三倍
7月6日消息，据外媒报道，功率半导体大厂罗姆子公司 SiCrystal已经开始在德国纽伦堡东北部现有工厂对面扩建厂房，以使其德国碳化硅（SiC）芯片的产量提高三倍。
韩国首座8英寸SiC晶圆厂开建
6月5日，韩国贸易、工业和能源部宣布，韩国本土半导体制造商EYEQ Lab 已开始在釜山功率半导体元件和材料特区内建设韩国首座8英寸碳化硅（SiC）功率半导体工厂，该项目已于5日上午举行了奠基仪式。
投资50亿欧元，意法半导体宣布在意大利建8英寸SiC晶圆厂
6月2日消息，近日，全球领先的半导体供应商意法半导体（ST）宣布，将在意大利卡塔尼亚新建一座200mm（8英寸）碳化硅（SiC）制造工厂，主要用于SiC功率器件和模块的制造以及测试和封装。结合在同一地点准备就绪的 SiC衬底制造工厂，这些工厂将组成意法半导体的SiC园区，实现该公司建立完全垂直整合的制造工厂的愿景。该SiC园区的建立是一个重要里程碑，将为汽车、工业和云基础设施应用领域的客户在向电气化转型和追求更高效率的过程中提供 SiC 设备支持。
SiC需求大增，2026年前端制造设备市场将达50亿美元
5月6日消息，据市场研究机构 Yole Developpement 发布的最新报告显示，到2029年，SiC器件市场预计将超过100亿美元，CAGR 2023-2029年为25%。由于大规模产能扩张，预计到 2026 年，整个 WFE（晶圆厂设备）SiC制造设备市场将达到50亿美元的峰值。
世纪金芯宣布突破8英寸SiC关键技术
4月9日，合肥世纪金芯半导体有限公司宣布，基于设备、工艺、热场、原料、结构设计等多方面的长期技术积累，突破了8英寸SiC关键技术，在晶体尺寸、厚度、缺陷控制、生长速率、制备成本、及装备稳定性等方面取得可喜成绩。
DISCO推出新型SiC晶圆研磨设备，速度提升10倍！
近日，日本半导体设备大厂Disco公司成功开发出了一款新型SiC晶圆研磨设备DFG8541，可以加工最大尺寸为8英寸的硅和SiC晶圆，并将SiC晶圆的研磨速度提升至原来的10倍，极大地提高了生产效率。由于SiC晶圆的硬度极高，加工难度较大，这一技术突破对于推动SiC功率半导体的规模化生产具有重要意义。
安森美发布直流超快充电桩方案，解决电动汽车普及的关键难题
2024年1月8日，领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi)，宣布推出九款全新 EliteSiC 功率集成模块 (PIM)，可为电动汽车 (EV) 直流超快速充电桩和储能系统 (ESS) 提供双向充电功能。
