5G时代最重要的半导体材料：碳化硅
进入 5G 世代，5G 产品大多具备高功率、高压、高温等特性，传统的硅 (Si) 原料因无法克服在高压、高频中的损耗，所以已无法满足新世代的科技需求，这使得碳化硅 (SiC) 开始崭露头角。
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科锐将在美国纽约州建造全球最大SiC制造工厂
2019年9月23日，美国北卡罗莱纳州达勒姆讯 – 作为碳化硅（SiC）技术全球领先企业的科锐（Cree, Inc.，美国纳斯达克上市代码：CREE），于今日宣布计划在美国东海岸创建碳化硅（SiC）走廊，建造全球最大的碳化硅（SiC）制造工厂。科锐将在美国纽约州Marcy建造一座全新的采用最先进技术并满足车规级标准的200mm功率和射频（RF）晶圆制造工厂，而与之相辅相成的超级材料工厂（mega materials factory）的建造扩产正在公司达勒姆总部开展进行。
得碳化硅者得天下？华为投资第三代半导体材料公司
目前半导体技术领先的国家和企业都纷纷投入到碳化硅和氮化镓的研发和产业化中，产业链覆盖材料、器件、模块和应用等各个环节。而华为近日也在被曝光在该领域进行了投资。
5G应用的关键材料，一文看懂GaN产业链！
随着技术的发展，终端设备对于半导体器件性能、效率、小型化要求的越来越高。特别是随着5G的即将到来，也进一步推动了以氮化镓( GaN)第三代半导体材料的快速发展。
氧化镓到底是什么？为何能带来更高功率密度、更低功耗的新型电子器件？
目前，以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代化合物半导体受到的关注度越来越高，它们在未来的大功率、高温、高压应用场合将发挥传统的硅器件无法实现的作用。特别是在未来三大新兴应用领域(汽车、5G和物联网)之一的汽车方面，会有非常广阔的发展前景。然而，SiC和GaN并不是终点，最近，氧化镓(Ga2O3)再一次走入了人们的视野。
