韩国斗山豪掷9700亿韩元扩大CCL产能
9月17日，韩国斗山（Doosan）宣布，将投入高达9,700 亿韩元扩大韩国与中国的铜箔基板（CCL）产能，以应对 CCL 市场需求持续增长。
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Weebit Nano CEO：ReRAM+“FD-SOI”，边缘AI的最优解！
2026年9月20日，由芯原股份（VeriSilicon）主办的第11届上海FD-SOI论坛在上海开幕。Weebit Nano首席执行官Coby Hanoch发表了题为《面向高能效FD-SOI的ReRAM技术：从嵌入式存储到边缘AI与存内计算》的主题演讲，系统阐述了ReRAM（电阻式随机存取存储器）技术如何与FD-SOI（全耗尽绝缘体上硅）工艺形成互补，共同推动下一代高能效智能SoC的发展。
新傲芯翼：300mm SOI已量产，拟规划年产能100万片！
2026年9月20日，由芯原股份（VeriSilicon）主办的第11届上海FD-SOI论坛在上海开幕。新傲芯翼（SimWings）常务副总经理王克睿出席论坛，并发表了题为《立足300mm SOI衬底，助力FD-SOI产业发展》的主题演讲，全面展示了新傲芯翼在FD-SOI衬底领域的最新进展与战略布局，并透露300mm SOI已量产，部分产品已通过客户认证，已规划20230年产能扩大到100万片。
晶能完成6.3亿元C轮融资，开创AI电力电子新范式
近日，浙江晶能微电子股份有限公司完成6.3亿元C轮融资。这是公司成立四年来的第五轮融资，累计融资规模近20亿元，充分体现资本市场对公司技术路线、发展节奏及商业化落地能力的高度认可。
格罗方德CEO：物理AI时代，FD-SOI优势凸显！
2026年9月20日，由芯原股份（VeriSilicon）主办第11届FD-SOI论坛在上海开幕。格罗方德（GlobalFoundries, GF）首席执行官Tim Breen发表了题为《从AI基础设施到物理AI：开启半导体创新的下一波浪潮》的主题演讲。Breen在演讲中深入剖析了正在重塑半导体行业的三大宏观趋势，并指出“物理AI”（Physical AI）将成为继连接世界、智能设备之后的又一次“构造板块级”的转移。他强调，GF的FDX™ FD-SOI技术平台正是解锁这一新时代的关键。
这些半导体巨头，纷纷加码投资印度
9月17日至19日，SEMICON India 2026 在新德里Yashobhoomi会展中心举行。印度总理莫迪亲自为展会揭幕。根据印度官方的数据，本次展会吸引了超过600家参展商，其中约300家为国际企业。三天展会共达成56项MoU、公告和战略倡议，覆盖设计、制造、封装、材料、设备、研发、创业和人才发展。
IBS CEO：AI时代半导体格局重构，FD-SOI将迎来高速发展期！
2026年9月20日，由芯原股份（VeriSilicon）主办第11届上海FD-SOI论坛在上海开幕。国际商业战略公司（IBS）首席执行官Handel Jones发表了题为《AI对半导体行业增长的影响及FD-SOI的作用》的主题演讲。Jones在演讲中系统阐述了人工智能（AI）如何重塑全球半导体产业格局，并深入分析了FD-SOI技术在这一变革中的关键角色。他指出，AI正推动半导体市场进入前所未有的增长周期，预计到2035年全球半导体市场规模将达到4.7万亿美元，而FD-SOI凭借其低功耗、高频性能等优势，将在物理AI、汽车电子、智能眼镜等新兴领域发挥重要作用。预计到2030年FD-SOI在晶圆代工市场的占比将达到38.6%，总市场规模达550亿美元。
芯原戴伟民：FD-SOI将迈入个位数纳米时代，本土产业链加速完善！
2026年9月20日，第11届上海FD-SOI论坛如期在上海举办，本届会议由芯原股份（VeriSilicon）主办，汇聚了来自格芯、Soitec、MIPS等全球半导体产业链核心企业，以及IBS、清华大学等顶尖产业研究及学术团队，共同梳理FD-SOI技术近25年的演进脉络，发布28nm向7nm及以下节点迭代的全新路线图，明确FD-SOI与FinFET并行的产业定位，面向边缘AI、车载电子、移动通信、5G/6G毫米波等万亿级市场打开新的增长空间。芯原股份董事长、CEO兼总裁戴伟民（Wayne Dai）在开幕致辞中披露了FD-SOI的技术根基、产业里程碑与中国本土化布局的最新进展。
AMD Venice性能测试公布：远超英特尔至强6980P与英伟达Vera！
近日，AMD正式发布了2nm制程的代号“Venice”的EPYC 9006系列服务器处理器的最新技术白皮书，正式披露了该系列产品的首批官方基准测试数据。测试结果显示，EPYC 9006系列在多项关键性能指标上均实现了对竞品的显著超越。
中科院GAA晶体管突破：DUV光刻也能造3nm芯片？
近期，中国科学院微电子研究所宣布建立DUV光刻下的堆叠纳米片沟道GAA（全环绕栅极）CMOS集成先导工艺，完成了CMOS器件研发，通过集成工艺优化，实现了器件开关电流比突破50万倍，理论上为我国通过DUV光刻解锁3纳米及以下先进工艺打开了一个“理论窗口”。
传长鑫存储将进军NAND Flash市场
9月18日消息，据路透社报道，中国DRAM芯片制造商长鑫存储（CXMT）正准备进军NAND Flash市场，挑战三星、SK海力士等头部厂商，虽然这也将与长江存储（YMTC）正面竞争，但这也是当前半导体行业增速最快的细分领域之一。
“算力赋能，产业拓界” 2026 安富利智慧科技生态圈论坛在深圳启幕
当下，AI 产业的竞争逻辑正在发生改变：大模型参数竞赛速度渐缓的同时，AI也从技术探索真正走向规模化落地，内化AI能力、加快培育夯实新质生产力，成为驱动各行各业进行深层次重构的关键。在此背景下，一场聚焦“生态共建、产业协同、融合创新与AI 场景落地”的行业盛会在深圳召开。