昨天，由GlobalFoundries（格罗方德）与成都市政府成立新的合资公司“格芯（成都）集成电路制造有限公司”投建的“格芯成都12英寸晶圆制造基地项目”在成都正式动工。该项目总投资为90.53亿美元，将是目前GlobalFoundries在全球投资规模最大、技术水平最先进的生产基地。二期工程将建设全球首条22nn FD-SOI(全耗尽绝缘硅)先进工艺12英寸晶圆代工生产线，预计2019年第四季度投产，建成后产能产能约6.5万片/月。
FD-SOI技术仍采用的是平面型晶体管，而像半导体制造大户Intel、三星以及台积电早已采用立体晶体管（FinFET）。在现在台积电、三星16/14nm早已量产，并且在加速布局10nm FinFET工艺的时候，为何GlobalFoundries还会大力发展22nm FD-SOI工艺呢？22nm FD-SOI工艺到底有何优势？
早在2015年的时候，GlobalFoundries就宣布推出了全新的“22FDX”工艺平台，成为了全球第一家实现22nm FD-SOI工艺的厂商。
GlobalFoundries官方此前曾表示，其22nm FD-SOI工艺的功耗比28nm HKMG降低了70%，同时芯片面积比28nm Bulk缩小了20%，光刻层比FinFET工艺减少接近50%，芯片成本比16/14nm低了20%。而在功耗方面，其电压可以做到业界最低的0.4V，并可通过软件控制晶体管电压，还集成了RF射频，功耗降低最多50%，它甚至可以提供类似FinFET工艺的性能。
GlobalFoundries称22nm FD-SOI可以在实现14nm工艺级别的性能的同时，做到与28nm工艺的成本持平。而目前28nm仍是业内性价比较高，应用非常广的。
以台积电为例，根据其公布的2016年全年财报显示，2016年28nm制程产品销售金额在台积电全年营收的占比中仍高达26%。此外，台积电28nm以下的制程产品销售占比仍高达46%，而这也意味着28nm仍有很长的生命周期。
虽然比28nm更为先进的制程可以带来更出色的性能，但是其成本也是成倍的提升。根据Gartner公布的数据显示，设计一颗7nm的SoC芯片大概需要2.71亿美元，比一个28nm的平面器件成本要高出9倍之多。而目前的28nm工艺则正处在一个性能与成本的甜蜜点上。
而这也正是GlobalFoundries将目光聚焦在22nm FD-SOI工艺上的一个重要原因。如果GlobalFoundries能通过22nm FD-SOI工艺将性能提升到与14nm FinFET工艺相近，同时达到成本又与28nm工艺持平的情况，那么显然22nm FD-SOI工艺将更具竞争优势，有望拿下现有的28nm市场，同时对其他竞争对手的16nm及14nm市场产生威胁。
此外，对于未来庞大的物联网芯片市场来说，其需要大量部署、长时间的工作，所以低功耗、低成本是一个非常重要的指标，而这也是22nm FD-SOI工艺的优势。
作者：芯智讯-浪客剑
