上个月底对小米来说可谓振奋人心，因为小米经历 28 个月的努力，终于完成了第一枚自主芯片“澎湃 S1”的发布，这也是继华为之后第二家有能力开发自主芯片的手机厂商。

不过，按照之前的计划，小米今年准备的是两款处理器，分别定位中端和高端，澎湃 S1 只是中端产品而已，很多机友想知道小米的高端芯片究竟准备得怎么样了。

如果按照之前的各方传闻，小米的高端芯片内部型号为 V970，而且还能够采用三星最新的 10 纳米 FinFET 工艺制程打造，只是能够量产出货的时间要稍晚一些，或许是年底。事实上，植树节期间又有新爆料显示，小米的高端芯片可能暂时没指望了，因为小米准备的是另一款定名澎湃 S2 的第二代芯片，而且也不要指望有 10 纳米工艺。

详细了解过澎湃 S1 的机友应该都知道，这枚新品最大的缺陷有两点。第一是工艺制程，今天大多数处理器都已经迈向 16 纳米或 14 纳米的时代了，但澎湃 S1 还只是老旧的 28 纳米 HPC 工艺制程。第二是调制解调器模块，仅支持 GSM/TDSCDMA/TDD LTE 制式的网络，而且最高仅支持 Cat 4 150Mbps 的速率， 技术上不支持双载波聚合，不支持 MIMO 或 64QAM。

那么所谓的第二代芯片澎湃 S2 解决这些问题了吗？只能说部分解决了。爆料称，澎湃 S2 工艺比 S1更先进了，采用了台积电的 16 纳米生产，八核心设计，不过网络支持上还是“五模”芯片，目前 S2 芯片样品已经完成开发了，预计第三季度量产，然后第四季度搭载澎湃 S2 的小米手机就能够正式上市销售了。

爆料者还表示，小米澎湃 S1 和 S2 能够完成，自然离不开联芯的技术支持，而且是基于联芯的 SDR1860 平台设计的芯片，S2 在设计上要比 S1 更完整一些，产能更加充足。话说回来，小米在工艺上没有跟随大流迈进 10 纳米，的确是明智之举，毕竟 10 纳米成本高和良品率控制不成熟，16 纳米无论对小米还是消费者都是能接受的选择。