在市场 NAND Flash 快闪存储器供应仍有缺口，导致价格继续维持高位的情况下，包括国际大厂三星、SK 海力士、东芝，以及中国厂商长江存储存纷纷宣布扩产以增加产能之际，7 日美商存储器大厂美光（Micron）也宣布扩产，以补足市场供不应求的缺口。

美光指出，继目前在新加坡拥有 Fab 10N、Fab 10X 两座 NAND Flash 快闪存储器工厂之后，将在当地兴建第 3 座 NAND Flash 快闪存储器工厂。新工厂的占地面积约 16.5 万平方米，计划 2019 年年中前后完工，2019 年第 4 季开始投产。

不过，美光没有公布新工厂的具体投产 NAND Flash 快闪存储器类型和产能。但是，根据外界的预估，其投产的 NAND Flash 快闪存储器产品类型，应该是现有 64 层堆叠快闪存储器的下一代产品。

另外，美光除了宣布将在新加坡兴建第 3 座 NAND Flash 快闪存储器工厂之外，美光还表示，将在新加坡扩大当前的研发规模，这将使得当地员工总数，有望从目前的 7,500 人增加到 1 万人以上。

除了美光在 NAND Flash 快闪存储器的发展外，在 DRAM 方面，值得一提的是，不久之前，美光的台中工厂也因为供氮设备出现电路问题，发生氮气供应故障的情况，影响到部分的产品。对此，美光CEO Sanjay Mehrotra 在之前的法说会也已经证实此事。

Sanjay Mehrotra 表示，氮气供应受阻事件恐将导致美光本季 DRAM 产出减少 2% 到 3%。而美光已经将相关故障设备被送往美国进行维修，并于日前重新回到工厂，并且在 4 月份开始重新投入生产的工作。

稿源：Technews