根据国内媒体报导，存储器厂商兆易创新（Gigadevice）与合肥长鑫合作生产的第 1 颗国产DRAM，将使用 19 纳米制程技术，并预计在 2018 年下半年开始试产，未来量产后的总产能可达全球 DRAM 产能 8%。

报导指出，2017 年 10 月，兆易创新宣布斥资人民币 180 亿元进军 DRAM 市场，与合肥市产业投资控股有限公司合作，目标是研发 19 纳米制程的 DRAM 存储器，并预计在 2018 年底前研发成功。而且其 “研发完成” 的目标，就是达成产品良率不低于 10% 的水准。而这个计划就是跟合肥长鑫进行合作，原来传闻的前日本尔必达社长阪本幸雄投资的香港兆基公司，并没有在合作名单中。

另外，来自《安徽商报》的报导，位于合肥空港经济示范区的合肥长鑫 12 寸存储器晶圆制造基地计划，其中的 300 台研发设备已全部到位，营运及研发团队全部入驻厂房办公区中，并预计在 2018 年下半年将投片试产。报导也表示，合肥长鑫在 2018 年有望造出第一颗中国本土生产的 19 纳米制程 DRAM 存储器，而这说的也就是与兆易创新合作的那个 19 纳米制程存储器。

事实上，目前全球 DRAM 三大厂，包括三星、美光、SK Hynix 都早已经完成了 20 纳米制程的 DRAM 芯片的研发，三星还够将主力制程进一步推进至新一代的 18 纳米制程上。因此，合肥长鑫的 19 纳米存储器一旦能够生产，将是目前除了三大厂之外，最为先进的制程。

合肥长鑫的 DRAM 计划投资金额超过 72 亿美元，预计建设三期工程。目前建设的是一期工程 12 寸晶圆厂，建成之后预计月产能为 12.5 万片。而针对这样的产能，《安徽商报》表示将达到全球 DRAM 存储器产能的 8%。

针对合肥长鑫的 19 纳米制程 DRAM 存储器生产计划，目前的关键点就在于良率上，因为目前合肥长鑫的 19 纳米制程 DRAM 存储器还是很低，虽然研发目标是不低于 10%，但即使是这个水准，还是不可能进行进一步的量产。所以，要完全解决良率的问题，市场人士分析可能还要几年时间。

来源：technews