韩国的三星为了多元化营收来源，这两年把晶圆代工业务做为重点发展项目。2018 年率先宣布推出了 7 纳米的 EUV 制程，抢在台积电、格罗方德与英特尔之前推出。不过，最近他们的 FinFET 制程惹上了麻烦。因为根据韩国媒体报导，上周三星就被美国法院判决，侵犯了自家韩国科学技术院（KAIST）的专利，需要赔偿 4 亿美元的金额。但三星对此表示不服，将再提出上诉。
根据报导指出，三星与 KAIST 在 FinFET 制程上的争议已久。本次，KAIST 在诉讼中表示，当时还在 KAIST 工作的教授 Lee Jong-ho，在 2001 年向三星展示过 FinFET 技术，但三星起初对 FinFET 制程并不在意，直到后来看到英特尔的 FinFET 量产之后，三星随之也加快了 FinFET 制程的开发。其中，三星使用了 Lee Jong-ho 教授的 FinFET 制程为基础，改进本身的 FinFET 制程。最后，在 2011 年推出了跟 Lee Jong-ho 教授研发的 FinFET 制程相近的 FinFET 制程技术。
而就是因为这样，KAIST 就跟三星结下了梁子。2016 年，KAIST 就在美国德州的知识产权局控告三星，宣称三星的 FinFET 制程侵犯了他们的专利权。三星回应表示，他们是跟 KAIST 合作开发的 FinFET 制程的，并质疑 KAIST 的 FinFET 专利有效性。不过，陪审团没有听从三星的理由，最终在上周判决三星侵犯 KAIST 的 FinFET 专利权成立，需要赔偿 KAIST 大概 4 亿美元的金额。
对于审判的结果，美国德州知识产权局的陪审团认为，三星侵权是故意的。所以，这个 4 亿美元的赔偿还不是最后的结果，未来甚至有可能被判最重罚款 12 亿美元。而三星方面则对判决表示不服，指出将会考虑所有可能的选向，以在未来上诉后获得合理的判决结果。此外，这起侵权案中还涉及到了高通及格罗方德，他们也被判侵权成立。不过，法院方面并没有要求他们进行赔偿任何损失。
稿源：technews
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