国产DRAM厂商长鑫存储首次公开亮相：技术来源奇梦达，专利申请已达16000项！

2019年05月16日

在5月15日的GSA Memory+论坛上，长鑫存储的董事长兼CEO朱一明先生发表了《中国存储技术发展与解决方案》主题演讲，阐述新时代下中国存储器市场的巨大需求和发展机遇。同时在去年福建晋华因与美光专利纠纷被禁运的影响下，朱一明在论坛上特别强调了合肥长鑫重视知识产权，具有完善的合规的技术来源。

▲长鑫存储董事长兼CEO朱一明先生

朱一明先生首先回顾了中国在DRAM领域的发展历程（以下内容为芯智讯整理，并不仅限于朱一明演讲内容）：

早在1975年，北京大学物理系半导体研究小组，由王阳元等人，设计出我国第一批三种类型的（硅栅NMOS、硅栅PMOS、铝栅NMOS）1K DRAM动态随机存储器，它比美国英特尔公司研制的C1103要晚五年，但是比韩国、台湾要早四五年。那时韩国、台湾甚至还没有电子工业科研基础。

随后，在20世纪80年代，无锡742厂通过引进东芝3英寸生产线，量产64K DAM。也许这是无锡后来的半导体情节的由来。此后，908工程落户无锡华晶，建设首条6英寸生产线，从AT?&T引进制程技术。但是，由于多方面的原因，建设周期过长导致技术落后失去了竞争力。

1991年NEC和首钢合资成立首钢NEC并在1994年量产4M DRAM，为中国培养了第一批半导体制造人才。随后在1997年，NEC又在上海设立合资公司华虹NEC，建设了中国第一条8英寸生产线并成功量产。而随着NEC设立尔必达后退出DRAM领域，华虹转型做起了代工。

2005年兆易创新成立，而作为国产存储芯片设计公司，兆易创新受益于中芯国际制造平台的发展机会，并于2011年成功抓住了Serial Flash替代Parallel Flash的发展机遇，积极推出适用于手机、机顶盒、DVD等消费电子的NOR Flash产品，为自身赢得了发展空间。2012年，兆易创新成为中国大陆最大的Serial NOR Flash芯片设计企业，同时也是最大的代码型闪存芯片本土设计企业。目前兆易创新在该领域排名第三。朱一鸣表示，这证明了即使是小众的市场，中国厂商也可以生产合乎客户要求的产品。

2017年9月，国家大基金宣布入股兆易创新取得约11%股权，成为了其第二大股东。随后，兆易创新宣布与合肥市产业投资控股集团签署合作协议，研发19纳米制程的12吋晶圆DRAM，预算为人民币180亿元，兆易创新出资20%。而该项目依托的就是合肥睿力集成（由长鑫集成控股，而长集成则是长鑫存储的母公司）。

相对兆易创新而言，成立于2016年的长鑫存储还只是一家初创公司。但是，长鑫存储并不是从0开始，而是站在巨人的肩膀上前行。

长鑫存储的DRAM技术主要来自于已破产的德系DRAM厂商奇梦达，当然，另一部则应该是来自于前日本DRAM厂商尔必达公司的前员工。

尔必达于2012年倒闭并由美光并购后，尔必达原社长坂本幸雄与尔必达研发团队一些成员，另起炉灶新成立兆基科技(Sino King)，除了网罗台湾的力晶科技等DRAM部分人马加入。2016年之时就传出与合肥市政府达成合作。

在此次论坛上，朱一明也强调长鑫存储通过与奇梦达的合作，将一千多万份有关DRAM的技术文件及2.8TB数据收归囊中，这也是公司最初的技术来源之一。长鑫存储在所接收技术和国际合作的基础上，利用专用研发线，展开世界速度的快速迭代研发，已持续投入晶圆超过15000片。建立了严谨合规的研发体系并结合当前先进设备完成了大幅度的工艺改进，开发出独有的技术体系，拉近了与世界先进水平的技术差距。