6月20日，紫光集团发布消息，由长江存储实施的国家存储器基地项目二期（土建）在武汉东湖高新区开工，规划产能20万片/月，达产后与一期项目合计月产能将达30万片。

据了解，长江存储国家存储器基地项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设，计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂，总投资240亿美元。其中，项目一期于2016年底开工建设，进展顺利，32层、64层存储芯片产品已实现稳定量产。

在64层3D NAND闪存量产7个月后，长江存储今年4月宣布新的研发进展，其跳过96层，成功研制出业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量的128层闪存。预计将于今年年底到明年上半年量产。

▲2019年9月，长江存储核心厂区   图片来源：长江存储官网

西南证券6月21日分析指出，长江存储一期主要实现技术突破，并建成10万片月产能，计划将于2020年底满产，考虑到国外厂商扩产情况，届时长江存储市全球占率将达5%左右。

“2018年长江存储突破32层3D闪存，与国外差距3-4年；2019年其实现64层技术量产，与国外差距缩小至2年；今年4月，长江存储128层QLC 3D闪存研制成功，若128层年底实现量产，则与三星、海力士、美光等国外厂商技术差距缩小至1年，一期的技术突破任务已基本完成。”该券商分析称。

华创证券分析指出，存储器是信息系统的基础核心芯片，最能代表集成电路产业规模经济效益和先进制造工艺，也是中国进口金额最大的集成电路产品。近些年内存、固态硬盘、显卡价格屡现上涨，根源在于存储芯片掌握在少数国外厂家手中。国产化将降低国内半导体产品成本，并提升上游设备公司订单。

6月9日，基于二季度数据，SEMI（国际半导体产业协会）调整2021年全球晶圆厂设备开支规模的预测值，由此前预估的657亿美元上调至创纪录的677亿美元，预计同比增长率为24%。其中，存储器工厂的设备开支规模最大，预计达到300亿美元。

前述券商统计数据显示，截至今年6月20日，国内设备厂商在长江存储中标数量排名依次为：北方华创（中标56台）、屹唐（46）、中微公司（38）、盛美半导体（18）、华海清科（11）、精测电子（8）、沈阳拓荆（5）、中科飞测（3）、睿励（2），覆盖刻蚀、沉积、检测、清洗、CMP多个领域。

编辑：芯智讯-林子