合肥长鑫LPDDR5内存有望2-3年内推出，17nm以下工艺

2020年07月02日

去年下半年，国产DRAM内存芯片厂商合肥长鑫存储成功实现了19nm LPDDR4/DDR4芯片的量产，今年一季度，多款基于长鑫存储DDR4芯片的内存产品正式上市。而接下来，长鑫存储计划在2-3年内完成LPDDR5开发，并且将工艺升级到17nm以内。

近日，安徽省发布了《重点领域补短板产品和关键技术攻关任务揭榜工作方案》文件，该方案要求通过2-3年时间，重点突破一批制约产业发展的关键技术，培育一批优势产品，做强一批优势企业，不断提高制造业自主可控水平，促进制造业高质量发展。

根据该文件显示，希望2-3年内解决一些关键技术瓶颈，其中在内存技术方面，要求推进低功耗高速率LPDDR5 DRAM产品开发，要面向中高端移动、平板及消费类产品DRAM存储芯片自主可控需求，研发先进低功耗高速率LPDDR5 产品并实现产业化，依托DRAM 17nm及以下工艺，攻关高速接口技术、Bank Group架构设计技术、低功耗电源（电压）技术、片内纠错编码（On-Die ECC）技术，完成低功耗高速率LPDDR5 DRAM产品开发。

而目前国内已经实现量产的DRAM内存芯片的国产厂商只有长鑫存储，而且长鑫存储也正是位于安徽省会合肥的企业，显然，这份文件上所提出的内存技术攻关要求，也正是针对长鑫存储提出的。

目前已量产的DDR4/LPDDR4使用的还是10G1工艺，也就是10nm级第一代工艺，具体来说是19nm工艺。而根据此前长鑫存储公布的路线图显示，接下来将会推出，基于10G3、的DDR4/LPDDR4x和DDR5/LPDDR5，还将推出基于10G5工艺的DDR5/LPDDR5以及GDDR6。