8月24日，台积电召开了第26届技术研讨会，披露了旗下最新的5nm以及更先进的3nm、4nm制程工艺。

台积电表示，其5nm工艺规划了两代，分别是N5和N5P。其中N5确定引入EUV（极紫外光刻）技术，并且已经在大规模量产之中。相较于N7，N5的功耗降低了30%、性能提升了15%，逻辑器件密度是之前的1.8倍。

根据目前的资料显示，采用台积电5nm工艺的芯片有苹果A14芯片（包括Apple Silicon PC处理器）、华为麒麟9000处理器、高通“骁龙875”、联发科“天玑2000”、AMD第四代EPYC霄龙处理器等。

此外，台积电更先进的4nm（N4）、3nm（N3）工艺也在研发当中。其中4nm应该是5nm的终极改良，而3nm则是真正的迭代。

技术指标方面，相较于5nm，3nm将可以带来25~30%的功耗减少、10~15%的性能提升。3nm将在明年晚些时候风险试产，2022年投入大规模量产。4nm同样定于明年晚些时候风险试产，2022年量产。

当然，台积电不是唯一一家在研发3nm工艺的厂商，三星的雄心更大，明年就想把3nm推向市场。而且在核心技术方面，三星的3nm将改用Gate-All-Around（GAA，环绕栅极晶体管），台积电则是坚守FinFET（鳍式场效应晶体管）。

在性能指标上，三星表示，其3nm对比7nm，可将核心面积减少45%，功耗降低50%，性能提升35%。

编辑：芯智讯-林子