8月3日消息，据BUSINESS WIRE报道，美国氮化镓（GaN）功率器件设计和制造厂商Transphorm公司宣布，联合JCP Capital收购其与富士通半导体合资的位于日本会津若松的AFSW晶圆厂的100%股权。

资料显示，AFSW晶圆厂是Transphorm与富士通半导体在2013年合资建设的子公司，被认为是全球首屈一指的高质量、可靠的高压 GaN 功率半导体晶圆制造工厂。

据悉，这笔交易是通过GaNovation公司完成的，而GaNovation是Transphorm与JCP Capital最近成立的合资公司。

交易完成后，富士通半导体将从 AFSW 晶圆厂退出。同时， Transphorm在收购完成后，其直接拥有的AFSW的实际股权将由之前的49%降至25%，其余85%将由GaNovation持有。虽然Transphorm所持有的AFSW晶圆厂的直接股权减少了，但是这也使得其对AFSW的直接资本支出减少了约50%，从而通过对GaN技术和应用的投资实现更高效的损益。

JCP Capital 创始人表示：“未来几年，GaNovation 不仅将为全球首屈一指的 GaN 功率晶圆厂 AFSW 带来大量资金以扩大 GaN 晶圆制造，而且还将有助于以更快的速度与我们的投资组合生态系统一起发展 GaN 产品业务，尤其是在基于 GaN 的快速充电器和适配器领域。”

Transphorm 的联合创始人表示：“与 GaNovation 和 JCP Capital 的合作是 Transphorm 快速增长和制造其最高质量、最高可靠性的 GaN 晶片和产品的理想下一步，继续我们的垂直轻资产具有强大IP优势和保护的集成模型。”

Transphorm是一家主打高压功率转换应用设计和制造高性能和高可靠性的GaN半导体企业。Transphorm在该领域拥有1000多项许可专利，生产过业界首款符合JEDEC和AEC-Q101标准的高压GaN半导体器件。