传三星将扩大在美投资,2026年引入3nm GAA制程

三星5nm芯片已开始大规模量产,4nm工艺正在研发中-芯智讯

目前台积电美国新晶圆厂正在建设当中,而三星的美国建厂计划则相对滞后,预计量产时间将落后台积电约一年。但是,在投资金额、产能规划及当地先进制程布局上,三星似乎并不逊于台积电。根据最新传出的消息称,三星规划要在2026年将3nm环绕闸极技术(GAA)制程引入美国厂,打造全美国最先进的晶圆厂,力求弯道超车。

面对三星紧追,台积电向来不评论竞争对手动态。台积电是在2020年拍板美国亚利桑那州晶圆21厂新厂计划,预计2021年至2029年该厂专案支出(包括资本支出)约120亿美元(约新台币3,360亿元),2022年下半年移入机台,第一期目标2024年第1季以5nm制程生产每月2万片晶圆。

三星规划美国新厂总投资额约170亿美元(约新台币4,760亿元),比台积电多出41%,在德州泰勒市高额减税措施定案后,据了解,三星德州新厂投资案最快2022年初动工扩产,时间表虽晚于台积电亚利桑那州投资约一年,但投资额度较大。

由于三星新厂量产时间较晚,初期两家公司在美国的制程技术以台积电的5nm领先,三星则规划2024年开出当地5nm产能,紧追台积电,并传出将在2026年引进3nm环绕闸极技术(GAA)制程,目标成为美国最先进的晶圆厂。

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