​在上月的ITF大会上，imec（比利时微电子研究中心）公布的蓝图显示，2025年后晶体管进入埃米尺度（Å，angstrom，1埃 = 0.1纳米），其中2025对应A14（14Å=1.4纳米），2027年为A10（10Å=1nm）、2029年为A7（7Å＝0.7纳米）。

当时imec就表示，除了新晶体管结构、2D材料，还有很关键的一环就是High NA（高数值孔径）EUV光刻机。其透露，0.55NA的下代EUV光刻机一号试做机（EXE:5000）会在2023年由ASML提供给imec，2026年量产。

不过，本月与媒体交流时，ASML似乎暗示这个进度要提前。第一台高NA EUV光刻机2023年开放早期访问，2024年到2025年开放给客户进行研发并从2025年开始量产。

ASML发言人向媒体介绍，更高的光刻分辨率将允许芯片缩小1.7倍、同时密度增加2.9倍。未来比3nm更先进的工艺，将极度依赖高NA EUV光刻机。

据悉，相较于当前0.33NA的EUV光刻机，0.55NA有了革命性进步，它能允许蚀刻更高分辨率的图案。

Gartner分析师Alan Priestley称，0.55NA光刻机一台的价格会高达3亿美元（约合人民币19亿元），是当前0.33NA的两倍。

早在今年7月，Intel就表态致力于成为高NA光刻机的首个客户，Intel营销副总裁Maurits Tichelman重申了这一说法，并将高NA EUV光刻机视为一次重大技术突破。

来源：快科技