6月22日消息，据韩国媒体报道称，三星电子有望于下周宣布 3nm 制程工艺的量产事宜。如果消息属实的话，那么这将意味着三星成功抢在台积电之前量产了3nm工艺。

在晶圆代工市场，三星一直力图在先进制程的量产进度上超越台积电。去年10月，三星就宣布将抢先台积电在今年上半年量产3nm工艺。同时，为了在技术上也能够超越台积电，三星也率先将全新的GAA（Gate-all-around，环绕栅极）架构引入到了3nm工艺当中。相比之下，台积电的3nm工艺仍延续了此前的FinFET（鳍式场效应晶体管）架构，而量产时间则是在今年下半年。

根据三星此前透露的数据显示，采用GAA晶体管技术的 3nm 制程工艺，与目前FinFET架构的5nm相比，性能将提升 30%，能耗降可低 50%，逻辑面积效率提升超过45%。

不过，今年2月，三星的4nm、3nm先进制程工艺被曝“良率造假”。随后，根据韩国媒体Business Post今年4月的爆料显示，当时今年年初三星4nm工艺良率仅35%，相比之下，台积电4nm制程良率则高达约70%，这也使得高通将改良版的骁龙8＋ 交给了台积电4nm代工。而3nm GAA 架构制程的良率今年年初时仅10%~20%。

如果三星真的将于下周宣布 3nm 制程制程工艺的量产的话，那么则意味着三星可能已经解决了良率问题。当然，也并不能完全排除这只是三星在纸面上的抢先宣布。

另外，根据三星的计划，继3nm GAA工艺量产之后，还将在2023年推出第二代 3nm GAA制程工艺，并在 2025 年量产2nm GAA制程工艺。

编辑：芯智讯-浪客剑