7月4日消息，由于全球通膨加剧，手机与PC等消费电子产品需求疲弱，近期业内传出台积电三大客户纷纷下修订单的消息，由此外界也开始担忧市场供需情况的变化，将会影响台积电等晶圆代工厂的大规模扩建计划。

根据台积电近期公布的信息显示，除了位于美国亚利桑那州、中国大陆南京、日本熊本等3座12吋晶圆厂已开始兴建之外，今明两年还将在中国台湾兴建11座晶圆厂。

其中，位于南科Fab 18厂区的P5～P9厂等共5座12吋厂兴建计划已启动，将成为台积电3nm主要生产重镇。为2nm量身打造的Fab 20厂区确定落脚竹科的宝山园区，包括P1～P3厂等共3座12吋厂会在明年前启动建厂，P4厂预期2024年之后开始兴建。

台积电高雄Fab 22厂区将兴建P1～P2厂，将生产28nm及7nm制程，投资建厂计划如期进行，2024年量产预估不变。至于南科Fab 14厂区P8厂亦开始建厂，将支持特殊成熟制程。台积电持续看好5G及高效能运算（HPC）大趋势，竹南AP6封装厂将扩建以支援3DIC先进封装需求。

对于市场担心若下半年到明年市场需求低迷，台积电恐面临产能过剩压力。对此，台积电认为，客户端在7nm及更先进制程的新芯片设计定案（New Tape-Outs，NTOs）大幅增加，会为明、后两年的大幅成长增添新动能。

台积电在上周的技术论坛上透露，以7nm（N7）及同一世代的6nm（N6）制程来说，自2017～2018年量产初期主要以智能手机芯片、中央处理器（CPU）、绘图处理器（GPU）等应用为主，但到今年产品组合已扩展至人工智能（AI）及高速网络、射频元件、消费及车用芯片等，至今年底NTOs案量将超过400案。

另外，在制程工艺方面，台积电今年下半年将量产3nm（N3）制程将，明年下半年会推出优化后的N3E制程。台积电在技术论坛中指出，N3E制程将支持智能手机及HPC两大平台，与N5制程相较，在同一功耗上性能提升15～20%，在同一性能上功耗降低30～35％，逻辑晶体管密度达1.6倍，芯片密度提升约达1.3倍，明显优于竞争对手，是业界最先进制程，有望吸引更多客户开案。

基于此，台积电今年资本支出400～440亿美元创下新高，预期明年资本支出维持400亿美元以上，去年启动的3年大扩产计划总投资金额将超过原订的1,000亿美元规模。台积电扩产主力仍以先进制程为主，2018～2022年的7nm及更先进制程产能年复合成长率（CAGR）高达70%，且2022年5nm产能已达2020年量产第一年的四倍。

为了解决车用及工控等芯片产能短缺问题，台积电今年投入高压及电源管理IC、MEMS及CMOS图像传感器、嵌入式存储（eFlash）等特殊成熟制程扩产的资本支出，已达过去三年平均支出的3.5倍，不仅今年特殊成熟制程产能会较去年增加14%，占整体成熟制程比重亦将提升到63%。

 

编辑：芯智讯-林子   来源：综合自工商时报