8月25日消息，台积电3nm（N3）制程即将于9月正式量产，而最新曝光的一张疑似台积电内部PPT显示，台积电新一代的改良型3nm（N3E）制程研发进展顺利，进度超预期，良率已达80%。

据外媒Tomshardware 最新曝光的疑似台积电内部PPT显示，台积电N3E制程开发进展顺利， 基于N3E 的256Mb SRAM 平均良率约为 80%，Mobile 和 HPC 逻辑测试芯片的平均良率也达到了约 80%。经验证的R.O.性能优于 92%。

不过，N3E 制程的进展超前并不令人意外。因为今年3月，就有爆料称，台积电3月底前将结束N3e制程设计流程，代表N3e 将较预定2023 第三季量产提早一季，预计2023年第二季就可量产。

资料显示，N3e的晶体管数量虽然比第一代3nm制程减少约8%，但仍较5nm制程提升了约60%，且减少了4层EUV 光罩，使N3e将成为台积电更具成本及生产效率优势的重要节点。

值得注意的是，据外媒近期爆料，台积电不在美国生产 3nm的决定可能有转变。之前不希望在中国台湾以外生产最先进的制程，但因美国芯片法案通过，美国政府经费补助将吸引台积电可能在美国投资第二座晶圆厂，发展3nm先进制程。不过台积电并未对此回应。

编辑：芯智讯-浪客剑