11月26日消息，据日本共同社日前报道，日本电子零部件巨头罗姆（ROHM）将于今年12月量产下一代功率半导体，以碳化硅（SiC）为原材料。

据悉，罗姆花费约20年推进研发碳化硅半导体。新一代半导体可让可提高机器运转的用电效率，若装在纯电动汽车上，续航里程可提升一成，电池体积也可更小。

据悉，罗姆将在福冈县筑后市工厂今年开设的碳化硅功率半导体专用厂房实施量产，还计划为增产投资最多2200亿日元（约合人民币114亿元），并将2025年度的碳化硅销售额上调至1100亿日元。

公开资料显示，碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。

碳化硅是主要由硅元素和碳元素组合而成的一种化合物半导体材料。主要用于功率 射频器件，适用于600V以上的高压场景，包括光伏、新能源汽车、充电桩、风电、轨道交通等等电力电子领域。

与前两代半导体材料相比最大的优势是较宽的禁带宽度，保证了其可击穿更高的电场强度，适合制备耐高压、高频的功率器件，是电动汽车、5G 基站、卫星等新兴领域的理想材料。

以新能源汽车为例，电动汽车系统涉及功率半导体应用的组件有电机驱动系统、车载充电系统（On-board charger，OBC）、车载 DC/DC 及非车载充电桩。其中，电动车逆变器市场碳化硅功率器件应用最多，碳化硅模块的使用使得整车的能耗更低、尺寸更小、行驶里程更长。

目前，国内外车企均积极布局碳化硅器件应用，以优化电动汽车性能，特斯拉、比亚迪、丰田等车企均开始采用碳化硅器件。

随着碳化硅功率器件的生产成本降低，碳化硅在充电桩领域的应用也将逐步深入。