5月26日消息，据韩国媒体Aju News 报道，三星计划自 2023 年第三季度开始，对韩国华城园区 S3 工厂减少至少 10% 的晶圆投片量。这也是三星此前宣布减产存储芯片计划的一部分。

报道称，韩国华城园区S3 工厂是三星半导体于 2018 年建成投产的 12 英寸生产线，目前主要生产 10nm 至 7nm 产品，也是三星半导体 EUV 先进工艺的主力生产厂之一，三星为其部署了多台 ASML 的 NXE3400 EUV 光刻机。

今年4月初，三星电子在公布了未经审计的第一季度初步业绩报告，营业利润同比暴跌95%，创下2009年金融危机以来最低记录。随后，三星被迫宣布对存储芯片进行减产，这也是自1998年金融危机以来，三星首次宣布将进行减产。不过，三星并未公布具体的减产计划。

随后三星在4月的正式公布一季度财报显示，显示第一季度营业利润为6402亿韩元，较上年同期的14.12万亿韩元下降95%。营收下降 18%，至63.74万亿韩元。净利润为1.57万亿韩元，同比下降86.1%。其中，第一季度的芯片业务亏损额高达4.58万亿韩元（约合人民币236亿元），这也是三星半导体业务14年来的首次亏损。三星半导体库存金额近 32 万亿韩元（约合人民币1700亿元），创下有记录以来历史新高。这足以反映存储芯片市场持续下滑对于三星整个半导体业务的负面影响，这也是迫使三星不得不宣布减产的关键。

此前，韩国《中央日报》 引用市场人士的说法指出，三星的DRAM减产计划将聚焦在 DDR4 的标准型DRAM上，具体将会对韩国华城园区内的DRAM产线进行减产，预计将减产3至6个月的时间，与2022年2月和3月的产能水平相比，三星的晶圆总投入量将减少5-7%。

另据韩国媒体BusinessKorea报道称，今年二季度，三星将大砍西安厂产能，其中西安一厂（Xian Plant 1）月产能预计会下修至110,000片，较去年四季度的125,000片减少12%；西安二厂（Xian Plant 2）月产能则预料会从145,000片减产7%至135,000片。目前西安厂占据三星NAND Flash总产量的40%，主要生产128-layer（V6）NAND Flash。

此前业界分析师预计，三星4～6月期间NAND Flash产量将比同期下降15%，DRAM产量将从第三季度开始下降20%以上。

编辑：芯智讯-林子