5月31日消息，韩国存储芯片大厂SK 海力士宣布，已经完成了 1b 制程技术 （第五代 10nm 等级） 研发，并将基于其技术生产的 DDR5服务器DRAM 进行“英特尔数据中心存储认证程序 ”（The Intel Data Center Certified memory program），这是英特尔第四代 Sapphire Rapids 的第四代 Xeon 可扩展数据中心处理器所采用的存储产品的兼容性认证流程。

SK 海力士表示，这次提供的 DDR5 DRAM 产品运行速度为 6.4Gbps，也是同类产品里速率最高的，与初期的测试品类相比，数据处理速度提高了 33%。而且，其采用了 HKMG （High-K Metal Gate） 制程技术，相较第四代 10nm 等级的 1α 制程技术的产品，功耗降低了 20%。

SK 海力士强调，1b 制程技术的成功研发，代表着可以向全球客户供应性能与功耗兼具的 DRAM 产品。SK 海力士希望 2023 年开始量产最先进的 1b 制程技术产品，以业界最高 DRAM 竞争力水准改善 2023 年下半年的业绩。此外，SK 海力士还打算将 1b 制程技术延伸到 LPDDR5T、HBM3E 等产品上。

事实上，近期 SK 海力士的财务状况并不好，上个月公布的 2023 财年第一季财务报告显示，因存储半导体市场持续低迷，需求疲软和产品价格下跌的状况冲击，该季营收较 2022 财年的第四季减少，且营业亏损加大。为此，SK 海力士决定以 DDR5 服务器 DRAM 和 HBM 等高性能 DRAM，加上采用 176 层堆叠 NAND Flash 的 SSD、uMCP 等产品为中心进行销售，以提升营业收入。

编辑：芯智讯-林子