9月18日消息，台积电2nm厂正紧锣密鼓建设中，北中南多地皆有重大投资，分别是新竹宝山厂、台中中科厂及高雄楠梓厂，计划是在2025年量产2nm。但是根据最新供应链消息，宝山厂建设计划开始放缓，恐影响原订量产计划，业内人士推测，放量的时间恐将延后2026年。

台积电预计在竹科宝山二期兴建Fab 20厂区，共规划了4座12英寸晶圆厂（P1~P4），原预计2024年下半年进入风险性试产，2025年进入量产2nm。

目前最新进度是竹科管理局已展开宝山二期扩建计划的公共工程，如周边道路、废水池等，并将用地交给台积电同步展开建厂作业。

但最新的供应链消息显示，受到半导体需求不振，以及采用2nm的客户需求尚不明朗的影响，台积电新竹宝山厂建设计划开始放缓，原订2025年下半年的量产2nm的计划，恐怕要等到2026年才会开始放量。

至于高雄厂则与新竹宝山厂同步启动2nm建厂，原订装机作业只比宝山厂晚一个月，目前不确定宝山厂工程放缓后，是否同步影响到高雄厂；至于台中厂部分，已经通过台中市政府都审，但动工需等明年。有媒体称，中科厂不排除直接进阶为1.4nm、甚至是1nm生产重镇。

资料显示，台积电2nm将首度采用GAA晶体管构架，由于技术难度高，在研发初期导入GAA仍会面临相当大的良率问题。相比之下，三星则在3nm就已经开始采用GAA架构，是否能够在2nm的量产上成功超越台积电还有待观察。而英特尔也计划在2nm开始采用GAA架构（英特尔称之为RibbonFET），量产规划则更快，其目标是在2024年上半年量产Intel 20A制程，在2024年下半年量产Intel 18A制程。

GAA是什么？跟过去FinFET有何不同？

根据晶体管构造，电子会从源极进入，往汲极方向移动，由金属闸极（图绿色处）与电压来控制是否允许电子通过，不过随着芯片微缩、金属闸极的线宽越来越小，约在20nm以下，电子就可能偷跑造成漏电问题，形成短路，因此有FinFET的发明。

△图片来源：应用材料

FinFET是将源极和汲极直立起来（图灰色处），增加与金属闸极的接触面积，这能严格地控制电子，使其不要漏电，由于立起来的构造很像鱼鳍，因此称为“鳍式晶体管”（FinFET）。

不过，到3nm以下如果再继续使用FinFET制程，容易遇到物理极限，出现漏电问题，因此需将Fin从垂直改为水平，增加更多的接触面积，即是所谓的“环绕闸极晶体管”（Gate-All-Around FET；GAAFET）。

△图片来源：三星

三星很早就在研究GAA构架，也和IBM、格芯合作于2017年发表相关论文；台积电也准备好生产2nm时，会转向纳米片（Nanosheet）晶体管技术，不过目前由于GAA技术难度较高，研发生产时间可能延后，加上传出2纳米厂建设时间延后，因此量产时间很可能延后至2026年。

编辑：芯智讯-林子