10月12日消息，晶圆代工龙头台积电目前在积极推动2nm的产能布局，其新竹宝山2nm晶圆厂规划于2024年第二季开始装机，2025年第四季进入量产，初期月产能约达3万片；而高雄2nm晶圆厂也正在着手进行组织编制，预计在第一代的2nm工艺——N2量产之后，在2026年量产N2P（2nm加强版）制程，并采用新的背面供电技术。

根据台积电此前法说会上透露的信息显示，台积电在N2发展出背面电轨（backside power rail）解决方案，这一设计最适于HPC相关应用。在基线技术之上，背面供电技术将使速度提升10%至12%，逻辑密度提升10%至15%。目标是在2025年下半年向客户推出背面供电技术，并于2026年量产，与供应链传言不谋而合。

过去，英特尔（Intel）率先从平面结构晶体管转向FinFET（鳍式场效晶体管），随着制程技术逐步迈向GAAFET构架的MBCFET、BSPDN（背面供电），包括台积电、三星、英特尔都在积极竞争GAA时代的领导者位置，更提出相当正向且积极的技术发展蓝图。

根据三星半导体规划，2025年将大规模量产2nm，1.4nm则预定于2027年量产。英特尔则计划于2024年上半年量产基于GAA技术RibbonFET晶体管构架的Intel 20A工艺，预计2024年下半年量产Intel 18A工艺。

编辑：芯智讯-林子