2月5日消息，据《日经新闻》报道，中国台湾晶圆代工大厂力积电（PSMC）传出将在今年上半年和日本新创企业Power Spin合作，目标是在2029年量产磁阻式随机存取內存（MRAM，Magnetoresistive Random Access Memory），将利用力积电计划在日本兴建的晶圆厂第2期工程产线进行量产。

报道称，Power Spin发源于日本东北大学，主要从事MRAM相关的半导体技术研发（东北大学长年来持续研究MRAM）。Power Spin将提供MRAM IP给力积电，力积电在推动研究、试产后，目标在2029年开始进行量产，期待可应用于生成式AI数据中心。

目前，力积电正携手日本网络金融巨头SBI Holdings计划在日本宫城县兴建晶圆厂，而该晶圆厂将分为两期工程，第1期工程目标2027年投产，以12寸硅晶圆换算的月产能为1万片，将生产40nm、55nm芯片；第2期工程目标2029年投产，除上述40nm、55nm产品之外，也将生产28nm及WoW（Wafer-on-Wafer）技术的芯片。届时两期工厂满载生产时，月产能将达4万片。而力积电预计将利用第2期工程产线，于2029年量产MRAM。

资料显示，MRAM的能耗只有目前內存（DRAM）的百分之一，且写入速度快，即便切断电源数据也不会丢失，不过在耐久性、可靠性等方面的问题仍需克服，此外还有制造成本较高的问题。而力积电则计划通过大规模量产来压低MRAM成本。

目前，美国半导体大厂Everspin Technologies已量产MARM产品，而Power Spin首席技术官远藤哲郎（东北大学教授）指出，2022年MRAM市场规模达300亿日元。

编辑：芯智讯-林子