2月21日消息，据外媒Moneytoday报道，韩国存储芯片大厂SK海力士于1月中旬正式结束了HBM3E高带宽內存的开发工作，并且顺利完成了英伟达（NVIDIA）历时半年的性能评价，计划于今年3月开始大规模生产HBM3E，并在4月针对英伟达供应首批产品。

报道称，由于半导体产品的开发分为Phases 1-9等九个阶段，目前SK海力士已完成所有阶段的开发，并进入最后的增产（ramp-up）阶段，这也代表着从现在起生产的所有HBM3E都可以交付给辉达。

除了SK海力士外，其竞争对手三星电子和美光也向英伟达提供了HBM3E样品，但它们要到3月份才会开始最终的产品品质认证测试，以确保产品能够达到出货质量要求，而这时间点相较SK海力士比至少晚了两个月的时间。

报道进一步指出，这批HBM3E将用于英伟达下一代Blackwell系列的AI芯片旗舰产品B100上，而英伟达则计划于2024年第二季末或第三季初推出该系列产品。由于英伟达已经在AI GPU市场中占有超过90%以上市占率。而在HBM市场，SK海力士则是有全球HBM市场一半以上的市占率，更是100%垄断了128GB DDR5这类大容量DRAM产品市场。因此，SK海力士与英伟达间的合作，市场看好将推升AI芯片的市场发展。

编辑：芯智讯-林子