2月29日消息，据外媒Tomshardware报导，ASML与英特尔于本周宣布达成了High NA EUV的重要里程碑。ASML已向英特尔交付的最先进High NA EUV光刻机Twinscan EXE:5000的主要部件已经启动，即首度打开光源并使光线到达晶圆上的抗蚀层，并开始运作，表示光源和反射镜已正确对准。这是High-NA EUV光刻机启动过程中的关键一步，尽管目前尚未达到峰值性能。

ASML的High-NA EUV曝光机将提供0.55数值孔径的投影光学器件，单次曝光分辨率可低至8nm，比单次曝光13.5nm分辨率的典型Low-NA EUV的分辨率更高。目前第一套High-NA EUV系统安装在在ASML荷兰Veldhoven实验室，第二套系统则正在英特尔的俄勒冈州晶圆厂组装。

ASML发言人Marc Assinck解释，从技术上讲，这种“第一束光”实际上是“晶圆上第一束光”，表示光源已经开始工作，现在我们在晶圆上测试对于光子的“抗蚀”。ASML专家仍在荷兰校准High NA EUV系统，因此该机器尚未列印出第一个测试图案。

报道称，英特尔技术开发总经理Ann Kelleher在加利福尼亚州圣何塞举行的SPIE曝光会议上首度透露这一进展，预计这些新系统将主要用于制程开发。

这个里程碑被称为“硅片上的第一道曙光”，标志着ASML和英特尔在推进半导体制造技术迈出重要一步，预计未来几年，包括英特尔、台积电和三星在内的领先芯片制造商都将采用High NA EUV光刻技术，英特尔已表示将在Intel 14A制程采用该设备。

编辑：芯智讯-浪客剑