英特尔向德国递交晶圆厂兴建蓝图,将安装High-NA EUV光刻机

英特爾向德國遞交晶圓廠興建藍圖,將安裝 High-NA EUV 曝光機

3月4日消息,据外媒报导,英特尔已经提交了在德国马格德堡新建晶圆厂的示意图,显示初期为两座晶圆厂分别为Fab 29.1和Fab 29.2,将安装世界上最先进的半导体工具——High-NA EUV光刻机。而且,英特尔还留有足够的空间,最多能再兴建另外六座晶圆厂。预计首批两座晶圆厂会在2027年第四季度投入运营,包括Intel 14A和Intel 10A两个先进节点制程相信都在计划之内。

报道指出,Fab 29.1和Fab 29.2占地约8.1万平方米,总长度为530米,宽度为153米,每层高度在5.7至6.5公尺之间,共有三层,再加上用于空调和暖气的屋顶结构,建筑物高度达到了36.7米。其中,High-NA EUV光刻机会安装在楼层高为6.5米的第二层当中,上下两层用于材料物流,提供必要的资源,例如水、电和化学品等。而根据ASML提供的模型,第一代采用High-NA的生产节点制程,将使用4~9次High-NA EUV曝光和总共20~30次标准EUV曝光。

除了两座晶圆厂,园区内还有众多辅助建筑,包括冷却器和沸腾器(BC1)、仓库(WH1)、超纯水储存(PB1)、特殊气体储存(BG1)、空气分离厂(AU1)、办公楼(OB1)、服务大楼(SB1)、数据中心(DC1)、废水预处理大楼(WT1)、碱性废水预处理(NH4W)、以及停车场(PK1)。另外,Fab 29将采用380千伏特高压供电,自己也将有独立的供电系统,英特尔计划使用电池储能系统来代替传统的柴油发电机作为备用电源,强调了其对可持续性的承诺。

早在2023年6月,英特尔就与德国联邦政府达成了协议,双方宣布签署了一份修订的投资意向书,计划投资超过300亿欧元,在马格德堡兴建两座新的晶圆厂。德国联邦政府已同意提供100亿欧元补贴,当中包含了来自《欧洲芯片法案》和来自政府的激励措施及补贴。

编辑:芯智讯-林子

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