3月4日消息，据韩国媒体DealSite报导，SK海力士、美光等HBM厂商正面临良率低迷的窘境，为了新的HBM3e能够通过英伟达（NVIDIA）下一代AI GPU的质量测试，彼此正在激烈竞争。

报道称，HBM良率高低，主要跟堆叠构架的复杂程度有关，这牵涉到多重內存阶层，及作为各层连接之用的直通硅晶穿孔（Through-Silicon Via，简称TSV）技术。这些复杂技术增加制程出现缺陷的机率，可能因此让良率低于设计较简单的內存。

此外，由于HBM一旦有一个芯片有缺陷，整个封装都需丢弃，因此产量很低。消息显示，HBM的整体良率目前约在65%左右，若业者试图拉高良率，产量就会随之下降。

此前SK海力士就曾对外宣布，该公司的HBM3E将在今年上半年发布。最新的报道也显示，SK海力士于1月中旬正式结束了HBM3E高带宽內存的开发工作，并且顺利完成了英伟达历时半年的性能评价，计划于今年3月开始大规模生产HBM3E，并在4月针对英伟达最新的AI芯片H200供应首批产品。

美光也于2月26日宣布，开始量产HBM3E，将应用于英伟达最新的AI芯片H200 Tensor Core GPU。H200预定于2024年第二季出货，以取代当前算力最强大的H100。

不过，虽然美光虽和三星电子之前也已经向英伟达提供了HBM3E样品，但它们要到3月份才会开始最终的产品品质认证测试。

至于HBM产能紧张方面的佐证有很多，比如在去年12月底财报会议上上，美光CEO Sanjay Mehrotra对外透露，得益于生成式AI的火爆，推动了云端高性能AI芯片对于HBM的旺盛需求，美光2024年的HBM产能预计已全部售罄。其中，2024年初量产的HBM3E有望于2024会计年度创造数亿美元的营收。

2月下旬，SK海力士副总裁Kim Ki-tae（金基泰）也在一篇博文中表示，虽然2024年才刚开始，但今年SK海力士旗下的HBM已经全部售罄。同时，公司为了保持市场领先地位，已开始为2025年预作准备。

编辑：芯智讯-林子