3月19日消息，据外媒报导，光刻机大厂ASML开始对外交货其第三代标准型极紫外（EUV）光刻机，新设备型号为Twinscan NXE:3800E，0.33数值孔径透镜，可以支持几年内的3nm及2nm芯片制造。

据介绍，Twinscan NXE:3800E的性能和精度相比上一代有了进一步的提升，晶圆处理速度也达到了每小时处理195片晶圆，相比Twinscan NXE:3600D每小时约160片的处理速度提升了22%，并且有可能提高到每小时220片。新设备可达到小于1.1nm的晶圆对准精度。可以支持未来几年内的3nm及2nm芯片制造。

Twinscan NXE:3800E精确度提升会让3nm以下制程受益，让2nm芯片和需双重曝光的制造技术效果更好。即便用于生产4nm或5nm芯片，Twinscan NXE:3800E也能提升效率，提高芯片生产的经济性，更高效且更具成本效益。

当然Twinscan NXE:3800E价格不便宜，每套设备价格约1.8亿美元，但比最新的High-NA EUV报价还是低很多。业界首款采用High-NA EUV的TWINSCAN EXE:5200报价高达3.8亿美元。

虽然ASML已推出High-NA EUV，但仍会继续发展标准型EUV。新Twinscan NXE:4000F EUV光刻机预计2026年问世，突显ASML对EUV技术持续推进的承诺。

编辑：芯智讯-林子